[發明專利]一種具有混合導電模式的超結IGBT器件

有效

• 申請號: 201711020958.7
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107768429B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 張金平;趙倩;劉競秀;李澤宏;任敏;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種具有混合導電模式的超結IGBT器件，包括相間排列的N+集電區（10）和P型集電區（12），在所述N+集電區（10）和P型集電區（12）上表面具有N型緩沖層（9），所述N型緩沖層（9）上表面具有由超結N柱區（7）和超結P柱區（8）組成的超結漂移區，在所述超結漂移區表面具有由N+源區（1）、P+接觸區（2）、多晶硅柵電極（3）、發射極（4）、Pbody基區（5）組成的溝槽MOS結構，在器件下表面還具有集電極（11），其特征在于：在所述N+集電區（10）和P型集電區（12）之間具有二氧化硅層（13），所述二氧化硅層（13）的下表面與集電極（11）相接觸，二氧化硅層（13）的上表面深入N型緩沖層（9）和超結漂移區并與超結P柱區（8）相接觸，所述二氧化硅層（13）將超結P柱區（8）兩邊的N型緩沖層（9）相隔離；所述超結漂移區與表面MOS結構Pbody基區（5）不相接觸；

在所述超結漂移區與表面MOS結構Pbody基區（5）之間還具有N型載流子存儲層（6），所述N型載流子存儲層（6）的濃度不小于超結N柱區（7）。

2.根據權利要求1所述的一種具有混合導電模式的超結IGBT器件，其特征在于：所述二氧化硅層（13）中還具有多晶硅電極（14），所述多晶硅電極（14）的下表面與集電極（11）相接觸。

3.根據權利要求1或2所述的一種具有混合導電模式的超結IGBT器件，其特征在于：所述二氧化硅層（13）的寬度小于超結P柱區（8）的寬度。

4.根據權利要求1所述的一種具有混合導電模式的超結IGBT器件，其特征在于：所述超結漂移區結構是半超結結構。

5.根據權利要求1所述的一種具有混合導電模式的超結IGBT器件，其特征在于：所述溝槽MOS結構是平面柵結構。