[發明專利]一種導電薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201711020586.8
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107732013A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 王紅麗
• 申請（專利權）人: 成都天航智虹知識產權運營管理有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01B1/04
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙)51211
• 代理人: 史姣姣

1.一種導電薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

A．沉積鎳層

在玻璃基底上沉積1-3個鎳原子厚的鎳薄膜層；

B、制備氧化石墨烯薄膜層

在鎳薄膜層上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃條件下烘干，形成厚度為20～30μm的氧化石墨烯薄膜層；

C．沉積石墨烯層

采用CVD法在氧化石墨烯層上沉積石墨烯薄膜層，所述石墨烯薄膜層的厚度為80～100μm；

C．清洗、干燥

將步驟C得到的半成品進行降溫處理，待溫度降至室溫后，將氧化石墨烯薄膜層進行清洗，去除鎳薄膜層，然后進行干燥即可。

2.如權利要求1所述的一種導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟A中，所述沉積鎳層的方法為磁控濺射法，本底真空度：5×10^-5～1×10^-4Pa，濺射壓力1～3Pa，襯底溫度30～100℃。

3.如權利要求1所述的一種導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟中C中，所述CVD法沉積石墨烯薄膜層過程中，碳源為甲烷，氣體為H₂和He的混合氣體；沉積的溫度為550～700℃，沉積的壓力為1×10^-4～5×10^-4Pa。

4.如權利要求1所述的一種導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟D中，所述清洗是指用弱酸溶液對降溫后的半成品浸泡2～3h。

5.如權利要求1～4任一項所述的一種導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟D中，所述干燥的條件為110～130℃下干燥30～45min。