[發(fā)明專利]制備導(dǎo)電薄膜的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711020461.5
• 申請(qǐng)日: 2017-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107863200A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王紅麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都天航智虹知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)管理有限公司
• 主分類號(hào): H01B13/00
• 分類號(hào): H01B13/00;H01B5/14;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙)51211
• 代理人: 史姣姣

1.制備導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：

A．沉積金屬銅層

在潔凈、干燥的玻璃板上沉積5-10nm的金屬銅層；

B、制備氧化石墨烯薄膜層

在金屬銅層上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃條件下烘干，形成厚度為20～30μm的氧化石墨烯薄膜層；

C．沉積石墨烯層

采用CVD法在氧化石墨烯薄膜層上沉積石墨烯薄膜層，所述石墨烯薄膜層的厚度為40～50μm；所述CVD法沉積過(guò)程中，碳源為甲烷，氣體為體積比為2～5:1的H₂和He的混合氣體；所述甲烷與混合氣體的體積比為8～10:1；

D．干燥

將步驟C得到的半成品進(jìn)行干燥即可。

2.如權(quán)利要求1所述的制備導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于：步驟A中，所述沉積金屬銅層的方法為磁控濺射法，本底真空度：5×10^-5～2×10^-4Pa，濺射壓力3～5Pa，襯底溫度30～70℃。

3.如權(quán)利要求1所述的制備導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于：步驟C中，所述CVD法沉積石墨烯薄膜層過(guò)程中，沉積的溫度為700～750℃，沉積的壓力為1×10^-4～2×10^-4Pa。

4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制備導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于：步驟D中，所述干燥的條件為110～130℃下干燥5～10min。