[發明專利]制備導電薄膜的方法在審
| 申請號： | 201711020461.5 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN107863200A | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 王紅麗 | 申請（專利權）人： | 成都天航智虹知識產權運營管理有限公司 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;H01B5/14;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙)51211 | 代理人： | 史姣姣 |
| 地址： | 610094 四川省成都市自由貿易試驗區*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 導電 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.制備導電薄膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：
A．沉積金屬銅層
在潔凈、干燥的玻璃板上沉積5-10nm的金屬銅層；
B、制備氧化石墨烯薄膜層
在金屬銅層上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃條件下烘干，形成厚度為20～30μm的氧化石墨烯薄膜層；
C．沉積石墨烯層
采用CVD法在氧化石墨烯薄膜層上沉積石墨烯薄膜層，所述石墨烯薄膜層的厚度為40～50μm；所述CVD法沉積過程中，碳源為甲烷，氣體為體積比為2～5:1的H2和He的混合氣體；所述甲烷與混合氣體的體積比為8～10:1；
D．干燥
將步驟C得到的半成品進行干燥即可。
2.如權利要求1所述的制備導電薄膜的方法，其特征在于：步驟A中，所述沉積金屬銅層的方法為磁控濺射法，本底真空度：5×10-5～2×10-4Pa，濺射壓力3～5Pa，襯底溫度30～70℃。
3.如權利要求1所述的制備導電薄膜的方法，其特征在于：步驟C中，所述CVD法沉積石墨烯薄膜層過程中，沉積的溫度為700～750℃，沉積的壓力為1×10-4～2×10-4Pa。
4.如權利要求1～3任一項所述的制備導電薄膜的方法，其特征在于：步驟D中，所述干燥的條件為110～130℃下干燥5～10min。
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