[發明專利]石墨烯導電薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201711020445.6 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN107799232A | 公開（公告）日： | 2018-03-13 |
| 發明（設計）人： | 王紅麗 | 申請（專利權）人： | 成都天航智虹知識產權運營管理有限公司 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;H01B1/04 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙)51211 | 代理人： | 史姣姣 |
| 地址： | 610094 四川省成都市自由貿易試驗區*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨 導電 薄膜 制備 方法 | ||
1.石墨烯導電薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
A．沉積銀金屬層
在陶瓷基板上沉積5-15nm的金屬銀層；所述沉積銀金屬層的方法為磁控濺射法；
B．沉積石墨烯層
采用CVD法沉積石墨烯薄膜層，所述石墨烯薄膜層的厚度為40～90μm；
C．清洗、干燥
將步驟B得到的半成品進行降溫處理，待溫度降至室溫后，將石墨烯薄膜層進行清洗，去除表面銀金屬層，然后進行干燥即可。
2.如權利要求1所述的石墨烯導電薄膜的制備方法，其特征在于：在步驟A中，磁控濺射法的本底真空度：1×10-5～4×10-5Pa，濺射壓力1～5Pa，襯底溫度50～85℃。
3.如權利要求1所述的石墨烯導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟B中，所述CVD法沉積石墨烯薄膜層過程中，碳源為甲烷，氣體為H2和He的混合氣體；沉積的溫度為550～600℃，沉積的壓力為1×10-4～4×10-4Pa。
4.如權利要求1所述的石墨烯導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟C中，所述清洗是指用弱酸溶液對降溫后的半成品浸泡1～3h。
5.如權利要求1所述的石墨烯導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟C中，所述干燥的條件為100～110℃下干燥30～35min。
6.如權利要求1～4任一項所述的石墨烯導電薄膜的制備方法，其特征在于：所述石墨烯導電薄膜的電阻：采用SB100A/2型四探針測試儀測試載玻片基材上石墨烯薄膜的薄膜電阻，探針之間的距離為3mm，該石墨烯導電薄膜電阻在1.1～1.5MΩ/sq。
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