[發明專利]光電轉換裝置和圖像拾取系統

有效

• 申請號: 201711018487.6
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN108010927B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 西村優;鈴木翔;松野靖司;大貫裕介;小林昌弘;岡川崇;中川善之
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 曾琳

1.一種光電轉換裝置，其特征在于，包括：

第一單元和第二單元，第一單元和第二單元中的每個單元包括：

設置在半導體層中的電荷產生區，

設置在半導體層中的電荷儲存區，

設置在半導體層中的浮置擴散區，

用于將電荷從電荷產生區傳輸到電荷儲存區的第一傳輸門，

用于將電荷從電荷儲存區傳輸到浮置擴散區的第二傳輸門，

電介質區，電介質區位于電荷產生區上方，并且被絕緣體層圍繞，以及

第一遮光層，第一遮光層覆蓋電荷儲存區，第一遮光層位于絕緣體層和半導體層之間，并且第一遮光層具有第一開口和第二開口，第一開口位于電荷產生區上方，

其中，第二傳輸門上的接觸插塞和浮置擴散區上的接觸插塞設置在第二開口中，

其中，第一單元被配置為使得第一單元的電荷產生區能夠通過第一遮光層的第一開口接收光，以及

其中，第二單元被配置為使得第二單元的電荷產生區被第二遮光層覆蓋。

2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，所述第二單元的第一開口位于電荷產生區和第二遮光層之間。

3.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，電介質區與絕緣體層一起構成光導路徑。

4.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，在第二單元中，電介質區位于第二遮光層和電荷產生區之間。

5.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，在第一單元和第二單元中，電荷儲存區和第一遮光層之間的距離小于電介質區和電荷產生區之間的距離。

6.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，在第一單元和第二單元中，電介質膜設置在電介質區和電荷儲存區之間，并且在絕緣體層和第一遮光層之間延伸。

7.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，

其中，在第一單元中，電介質區位于無機材料層和半導體層之間，以及

其中，在第二單元中，無機材料層位于第二遮光層和電介質區之間。

8.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，在第一單元和第二單元中，電介質區具有比所述第一開口的寬度大的寬度。

9.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，第二開口具有與第一開口的形狀不同的形狀。

10.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，

其中，第一單元和第二單元中的每一個包括：

放大晶體管，放大晶體管連接到浮置擴散區，以及

其中，在第一單元和第二單元中，第一遮光層覆蓋第一傳輸門和第二傳輸門。

11.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，

其中，第三單元設置在第一單元和第二單元之間，

其中，第三單元包括第三遮光層，以及

其中，在第三單元中，絕緣體層覆蓋半導體層，并且位于第三遮光層和半導體層之間。

12.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，

其中，第四單元設置在第一單元和第二單元之間，

其中，第四單元包括第四遮光層，以及

其中，第四遮光層和半導體層之間的距離大于第二單元中第一遮光層和半導體層之間的距離，并且小于第二單元中第二遮光層和半導體層之間的距離。

13.根據權利要求11所述的光電轉換裝置，其中，第二遮光層和第三遮光層由連續的遮光膜構成，以及

其中，滿足以下條件中的至少一個：絕緣體層含有硅、氧和氫的條件；以及電介質區含有硅、氮和氫的條件。