[發明專利]小面積低功率上電復位電路

有效

• 申請號: 201711018452.2
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN108023581B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: A·K·辛格;S·加尼薩恩
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;G06F1/24
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 周陽君

1.一種用于提供上電復位信號的電路，所述電路包括：

配置為產生指示電壓閾值的參考電流的第一天然NMOS晶體管；

具有耦合所述第一天然NMOS晶體管的控制節點的比較器晶體管，所述比較器晶體管配置為比較感測電流與所述參考電流，其中所述感測電流表示所述電路的電源電壓的電平，其中所述比較器晶體管的第一節點被配置為當所述參考電流大于所述感測電流時保持第一狀態，其中所述第一節點被配置為當所述感測電流大于所述參考電流時保持第二狀態；以及

與所述第一天然NMOS晶體管和接地參考串聯耦合的第二晶體管，所述第二晶體管具有耦合到所述電源電壓的控制節點，所述第二晶體管被配置為控制由所述第一天然NMOS晶體管設置的參考電流的變化。

2.權利要求1所述的電路，包括配置為將所述參考電流鏡像到所述比較器晶體管的節點的電流鏡。

3.權利要求2所述的電路，其中所述電流鏡包括感測晶體管和鏡像晶體管；和

其中所述比較器晶體管的控制節點耦合所述感測晶體管的控制節點和所述鏡像晶體管的控制節點。

4.權利要求1所述的電路，其中所述第二晶體管是第二天然NMOS晶體管。

5.權利要求4所述的電路，包括與所述比較器晶體管和所述接地參考串聯耦合的第三天然NMOS晶體管，所述第三天然NMOS晶體管具有耦合所述電源電壓的控制節點。

6.權利要求5所述的電路，其中所述第二天然NMOS晶體管包括以堆疊布置的多個天然NMOS晶體管。

7.權利要求5所述的電路，其中所述第三天然NMOS晶體管包括以堆疊布置的多個天然NMOS晶體管。

8.權利要求5所述的電路，其中所述電路占據的面積小于0.01mm²。

9.權利要求5所述的電路，其中所述電路被配置為平均使用42納安(nA)或更小。

10.權利要求5所述的電路，其中與所述參考電流相關聯的閾值電壓被配置為在-40℃至125℃的溫度范圍內變化小于330毫伏(mV)。

11.一種上電復位電路，包括：

第一天然NMOS晶體管，被配置為產生參考電流；

電流鏡，被配置為鏡像所述參考電流；

比較器晶體管，被配置為接收和比較所述參考電流與表示電源電壓的感測電流；和

第二和第三天然NMOS晶體管；

其中所述電流鏡的感測晶體管經由所述第一天然NMOS晶體管和所述第二天然NMOS晶體管耦合到地；

其中所述電流鏡的鏡像晶體管經由所述比較器晶體管和所述第三天然NMOS晶體管耦合到地；

其中所述比較器晶體管的控制節點耦合所述感測晶體管的控制節點和所述鏡像晶體管的控制節點；和

其中將所述鏡像晶體管耦合所述比較器晶體管的節點提供所述上電復位電路的輸出。

12.權利要求11所述的上電復位電路，所述上電復位電路占據的面積小于0.01mm²。

13.權利要求11所述的上電復位電路，包括緩沖器，所述緩沖器耦合所述比較器晶體管的漏極并被配置為提供所述上電復位電路的第二輸出。

14.權利要求13所述的上電復位電路，其中所述緩沖器包括逆變器。