[發明專利]封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201711017344.3
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109524378B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 戴志軒;陳志華;蔡豪益;黃育智;劉家宏;郭婷婷
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

管芯；

重布線結構，與所述管芯連接，其中所述重布線結構包括多條重布線；

集成扇出型穿孔，位于所述管芯側邊且穿過所述重布線結構；以及

第一連接件，與所述集成扇出型穿孔電性接觸，且與所述管芯電性連接，

其中所述集成扇出型穿孔與所述重布線結構的所述多條重布線電性接觸,

其中所述集成扇出型穿孔包括第一晶種層及導電柱，且所述第一連接件的底面與所述集成扇出型穿孔的所述第一晶種層及所述導電柱物理接觸，

其中所述多條重布線包括第二晶種層及導電層，

其中所述第一連接件的所述底面還與所述多條重布線的所述導電層電性接觸，且所述第一連接件的側壁與所述多條重布線的所述第二晶種層電性接觸。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其中所述導電柱與第一連接件電性接觸。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其中所述導電柱的部分側壁被所述第一晶種層覆蓋。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其中所述集成扇出型穿孔的末端具有階梯形狀。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其中所述第一晶種層及所述導電柱的末端具有階梯形狀。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，還包括設置在所述管芯上的第二連接件，其中所述第二連接件穿過所述多條重布線中的一者的所述第二晶種層，且與所述多條重布線中的所述一者的所述導電層接觸。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，其中所述集成扇出型穿孔的與所述第一連接件接觸的頂面低于所述多條重布線的頂面。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其中所述集成扇出型穿孔的與所述第一連接件接觸的頂面與所述導電層的頂面齊平，且低于所述第二晶種層的頂面。

9.一種封裝結構，包括：

管芯；

重布線結構，連接至所述管芯；

集成扇出型穿孔，位于所述管芯側邊且穿過所述重布線結構，所述集成扇出型穿孔包括晶種層及導電柱，所述晶種層位于所述導電柱上；以及

連接件，與所述集成扇出型穿孔的頂面電性接觸，且與所述管芯電性連接，

其中所述集成扇出型穿孔的與所述連接件接觸的所述頂面低于所述重布線結構的重布線層的頂面。

10.根據權利要求9所述的封裝結構，其中所述重布線結構包括介電層及所述重布線層，所述重布線層包括多條重布線，且所述集成扇出型穿孔與所述多條重布線被位于所述集成扇出型穿孔與所述多條重布線之間的所述介電層隔開。

11.根據權利要求9所述的封裝結構，其中所述導電柱的部分側壁被所述晶種層覆蓋。

12.根據權利要求11所述的封裝結構，其中所述連接件與所述集成扇出型穿孔的所述導電柱電性接觸。

13.根據權利要求12所述的封裝結構，其中所述重布線結構包括介電層及所述重布線層，所述重布線層包括多條重布線，其中所述連接件與所述多條重布線被所述重布線結構的所述介電層隔開。

14.根據權利要求9所述的封裝結構，其中所述集成扇出型穿孔包括嵌入部及凸出部，所述嵌入部設置在所述重布線結構的所述重布線層的所述多條重布線之間，所述凸出部位于所述管芯側邊的封裝體中。