[發(fā)明專利]一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711014605.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN108054294A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張余寶;常春;張芹;李清華;張振威;李鳳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌航空大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 南昌洪達(dá)專利事務(wù)所 36111
• 代理人: 劉凌峰

1.一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：將多孔過(guò)渡金屬氧化物薄膜及其基體放入量子點(diǎn)原液中，經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的浸泡，量子點(diǎn)材料充分浸入金屬氧化物薄膜的孔隙內(nèi)；取出后用正己烷沖洗，再浸泡到量子點(diǎn)原液中，再用正己烷沖洗，重復(fù)若干次，確保量子點(diǎn)材料在過(guò)渡金屬氧化物孔隙內(nèi)均勻填充且結(jié)合緊密，然后經(jīng)過(guò)干燥，得到金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)，將其應(yīng)用到發(fā)光二極管中，二極管設(shè)有透明導(dǎo)電電極的玻璃基底、空穴注入與傳輸層，過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)發(fā)光層、電子注入與傳輸層、金屬對(duì)電極；電極、電子注入與傳輸層、過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴注入與傳輸層、ITO透明電極、玻璃基底由上向下依次連接，電極位于頂部，玻璃基底位于底部，電源正極穿透玻璃基底與導(dǎo)電玻璃相連接，電源負(fù)極與電極相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：過(guò)渡金屬氧化物為的HOMO能級(jí)在-4.6~-5.3eV左右。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：過(guò)渡金屬氧化物為能級(jí)較高的HOMO能級(jí)的NiO、V2O5、WO3金屬氧化物，厚度為1-100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)發(fā)光層結(jié)構(gòu)中的量子點(diǎn)為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料，如CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)，厚度為1-100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：電極由Al或Ag或AL/Ag構(gòu)成，所形成的電極材料的厚度約為1-150nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：電子注入與傳輸層由無(wú)機(jī)氧化物ZnO（ZnMgO）或TiO2構(gòu)成，厚度為1-100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：空穴注入與傳輸層由poly-TPD、或PVK、或TFB、或聚對(duì)苯撐乙烯(PPV)類、或聚噻吩類、或聚硅烷類、或三苯甲烷類構(gòu)成，厚度為1-100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浸泡法制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)方法，其特征在于：導(dǎo)電玻璃為ITO導(dǎo)電玻璃、或FTO玻璃、或PET/ITO導(dǎo)電玻璃，厚度為1-200nm。

9.如權(quán)利要求1所述過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）制備空穴注入與傳輸層：將空穴注入與傳輸層依次旋涂在已清洗干凈的有透明電極的導(dǎo)電基底上，干燥成膜，即為空穴注入與傳輸層；

2）制備過(guò)渡金屬氧化物骨架：將過(guò)度金屬氧化物溶膠旋涂到芯片上，加熱烘干即可得過(guò)渡金屬氧化物骨架薄膜；

3）制備過(guò)渡金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)：將多孔過(guò)渡金屬氧化物薄膜及其基體放入量子點(diǎn)原液中，經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的浸泡，量子點(diǎn)材料充分浸入金屬氧化物薄膜的孔隙內(nèi)；取出后用正己烷沖洗，再浸泡量子點(diǎn)原液，再用正己烷沖洗，重復(fù)若干次，確保量子點(diǎn)材料在過(guò)渡金屬氧化物孔隙內(nèi)均勻填充且結(jié)合緊密，然后經(jīng)過(guò)干燥，得到金屬氧化物/量子點(diǎn)體異質(zhì)結(jié)；

4）在烘干后的片子上旋涂電子傳輸層，烘干即得電子傳輸層；

5）將制得的片子放在真空蒸鍍箱中，蒸鍍金屬對(duì)電極。