[發(fā)明專利]一種無(wú)水泡的低應(yīng)力多晶硅薄膜制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711014518.0
• 申請(qǐng)日: 2017-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107993929A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳曦;瞿濤;卓文君;王俊力;賈文章
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇西貝電子網(wǎng)絡(luò)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205;B81C1/00
• 代理公司: 常州市夏成專利事務(wù)所(普通合伙)32233
• 代理人: 萬(wàn)花

1.一種無(wú)水泡的低應(yīng)力多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于：包括多晶硅薄膜應(yīng)力控制過(guò)程和非晶硅薄膜退火成多晶硅薄膜過(guò)程；

所述多晶硅應(yīng)力控制過(guò)程的步驟包括：

1）在基底上沉積200～1000nm厚的二氧化硅薄膜作為中間層；

2）使用RTP快速退火技術(shù)對(duì)二氧化硅薄膜進(jìn)行退火，控制薄膜應(yīng)力；

3）在上述退火之后的二氧化硅薄膜上沉積300～500nm非晶硅薄膜；

所述非晶硅薄膜退火成多晶硅薄膜過(guò)程的步驟包括：

1）在上述沉積的非晶硅薄膜上曝光、顯影出多晶硅薄膜圖案；

2）進(jìn)行RIE刻蝕，在非晶硅薄膜上刻蝕出多晶硅薄膜結(jié)構(gòu)；

3）刻蝕完成后進(jìn)行退火處理，使非晶硅結(jié)晶成多晶硅薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在退火進(jìn)行應(yīng)力控制時(shí)，退火溫度為685℃，退火時(shí)間為25s，這樣能夠?qū)⒄w應(yīng)變控制在+/-2um，有利于在二氧化硅薄膜上非晶硅薄膜的沉積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在非晶硅退火形成多晶硅之前，先要將非晶硅薄膜刻蝕出想要的結(jié)構(gòu)再進(jìn)行退火，退火溫度為685℃，退火時(shí)間為25s，可以在非晶硅薄膜結(jié)晶成為多晶硅薄膜的前提下將多晶硅薄膜的應(yīng)力控制在100MPa附近。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用先刻蝕出薄膜結(jié)構(gòu)再進(jìn)行退火的方法可以避免在退火過(guò)程即非晶硅結(jié)晶成多晶硅的過(guò)程中產(chǎn)生水泡而導(dǎo)致多晶硅薄膜破裂。