[發(fā)明專利]一種自催化功能納米量子線的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711014016.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107790736B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翠;趙金星;蘭倩;曹元成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江漢大學(xué)
• 主分類號(hào): B22F9/12
• 分類號(hào): B22F9/12;B22F1/00;H01L31/0304;H01L31/0352;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 42104 武漢開(kāi)元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王虹

1.一種自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，步驟為：

a.MBE設(shè)備中，在生長(zhǎng)室Si襯底上加入In-Sb合金液滴200℃-380℃活化25min-120min產(chǎn)生成核位點(diǎn)，In-Sb合金液滴中Sb的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1-5%，In-Sb合金液滴加入量為每1cm²Si襯底對(duì)應(yīng)2-15mg In-Sb合金液滴，活化完成后生長(zhǎng)室150℃-380℃下保溫10-25min；

b.生長(zhǎng)室150℃-380℃下保溫，打開(kāi)蒸發(fā)源In、As和Sb通向生長(zhǎng)室的閥門并控制各束流等效分壓比進(jìn)行納米線生長(zhǎng)，生長(zhǎng)20-120min后同時(shí)關(guān)閉所有蒸發(fā)源百葉窗，得到InAsSb納米量子線。

2.如權(quán)利要求1所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，所述步驟a中In-Sb合金液滴由液態(tài)In在-5℃-10℃下溶解Sb得到。

3.如權(quán)利要求2所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，所述In-Sb合金液滴由液態(tài)In在0℃下溶解Sb得到。

4.如權(quán)利要求1所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，步驟b中控制Sb束流等效分壓比為2.5%-27.5%、In束流等效分壓比為1-19%、As束流等效分壓比為70-94%，其中Sb、In、As束流等效分壓比之和為100%。

5.如權(quán)利要求4所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，步驟b中控制Sb束流等效分壓比為10%-20%、In束流等效分壓比為3-15%、As束流等效分壓比為75-85%，其中Sb、In、As束流等效分壓比之和為100%。

6.如權(quán)利要求4或5所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，步驟b中控制Sb束流等效分壓比為16%、控制In束流等效分壓比為3%，控制Sb束流等效分壓比為81%。

7.如權(quán)利要求1所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，步驟b中生長(zhǎng)室的總壓力為0.05-0.5MPa，生長(zhǎng)時(shí)間30min。

8.如權(quán)利要求4所述的自催化功能納米量子線的制備方法，其特征在于，步驟b中生長(zhǎng)室的總壓力為0.05-0.5MPa。