[發(fā)明專利]一種高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711013289.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107658346A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳家健;沈怡東;潘蔡軍;朱倩;歐陽瀟
• 申請（專利權(quán)）人: 捷捷半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/49;H01L21/329
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件，包括正面金屬片、二極管擴散圓片和背面金屬片；所述二極管擴散圓片的兩面均設(shè)有鎳膜；所述兩層鎳膜的外側(cè)面與正面金屬片、背面金屬片的內(nèi)側(cè)面設(shè)有焊料層；所述正面金屬片上設(shè)有應(yīng)力吸收槽路，應(yīng)力吸收槽路上設(shè)有溝槽，溝槽上設(shè)PN結(jié)聚酰亞胺鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件，其特征在于：所述正面金屬片和背面金屬片的厚度為125μm～500μm，其尺寸與二極管擴散圓片一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件，其特征在于：所述正面金屬片和背面金屬片為晶圓級的內(nèi)引線金屬電極片。

4.一種高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件的制造方法，包括以下步驟：

（1）取（P⁺-N-N⁺）的二極管擴散圓片作基片，厚度為150μm～350μm；

（2）用化學(xué)鍍、真空蒸鍍或濺射的方法，將二極管擴散圓片的正反面鍍上鎳膜，厚度為0.5μm～1μm，鍍鎳膜后圓片的厚度為151μm～352μm；

（3）使用真空燒結(jié)或回流焊的方法，在焊料層用焊料【Pb（90%～97%）、Sn（3%～7.5%）、Ag（0%～2.5%）】把鍍有鎳膜的二極管擴散圓片分別與正面金屬片、背面金屬片的內(nèi)側(cè)面焊接在一起形成圓形片，焊料厚度為20μm～60μm，圓形片總厚度為441μm～1472μm；

（4）在正面金屬片上沿著應(yīng)力吸收槽路用寬刀切割到深度242.55μm～809.6μm形成溝槽；

（5）用堿液對溝槽內(nèi)的側(cè)壁和底部進行腐蝕、沖洗、烘干；

（6）在溝槽的側(cè)壁和底部涂聚酰亞胺并固化，形成PN結(jié)聚酰亞胺鈍化層；

（7）用窄刀劃切分離芯片組件。