[發(fā)明專利]SoC基帶芯片及其電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711012267.2 | 申請日: | 2017-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN107819465B | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭嘯峰;戴思特;馮海剛;張寧;檀聿麟 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳銳越微技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H03M1/10 | 分類號: | H03M1/10 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | soc 基帶 芯片 及其 電流 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 失配 校準(zhǔn) 電路 | ||
1.一種SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,包括電流鏡補(bǔ)償電路、校準(zhǔn)切換開關(guān)模塊、校準(zhǔn)電阻、電壓檢測模塊和校準(zhǔn)控制模塊;
所述校準(zhǔn)電阻的阻值為電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器中負(fù)載電阻的阻值的2N-1倍,N為MSB有效位位數(shù);
所述電流鏡補(bǔ)償電路的數(shù)量與電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器中MSB電流鏡支路數(shù)量相等,所述電流鏡補(bǔ)償電路與所述MSB電流鏡支路并聯(lián)連接構(gòu)成電流鏡并聯(lián)支路;所述校準(zhǔn)切換開關(guān)模塊的輸入端連接至所述電流鏡并聯(lián)支路,所述校準(zhǔn)切換開關(guān)模塊的輸出端分別通過所述校準(zhǔn)電阻和所述負(fù)載電阻接地;所述電壓檢測模塊分別與所述校準(zhǔn)電阻和所述校準(zhǔn)控制模塊連接,所述校準(zhǔn)控制模塊分別與所述MSB電流鏡支路、所述電流鏡補(bǔ)償電路和校準(zhǔn)切換開關(guān)模塊連接;
所述電流鏡補(bǔ)償電路用于為所述MSB電流鏡支路提供補(bǔ)償電流;所述校準(zhǔn)切換開關(guān)模塊用于根據(jù)所述校準(zhǔn)控制模塊的控制,依次切換其中一個電流鏡并聯(lián)支路與所述校準(zhǔn)電阻連接,且其余的電流鏡并聯(lián)支路與負(fù)載電阻連接;
所述校準(zhǔn)控制模塊用于根據(jù)所述MSB電流鏡支路的輸出電流,確定基準(zhǔn)電流,并控制所述電流鏡補(bǔ)償電路提供補(bǔ)償電流;所述校準(zhǔn)電阻用于采樣所述電流鏡并聯(lián)支路的電流,并將采樣到的電流轉(zhuǎn)換成電壓信號后輸出至所述電壓檢測模塊,所述電壓檢測模塊用于對所述電壓信號進(jìn)行檢測,并反饋檢測結(jié)果給所述校準(zhǔn)控制模塊,以通過所述校準(zhǔn)控制模塊調(diào)整所述電流鏡補(bǔ)償電路的補(bǔ)償電流,對電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器中電流鏡陣列的輸出電流進(jìn)行校準(zhǔn)。
2.如權(quán)利要求1所述的SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,所述校準(zhǔn)控制模塊具體用于根據(jù)所述MSB電流鏡支路的輸出電流,確定其中一路電流鏡并聯(lián)支路的輸出電流作為基準(zhǔn)電流,根據(jù)該基準(zhǔn)電流控制所述電流鏡補(bǔ)償電路為對應(yīng)的MSB電流鏡支路提供補(bǔ)償電流。
3.如權(quán)利要求1所述的SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,所述校準(zhǔn)控制模塊具體用于根據(jù)所述MSB電流鏡支路的輸出電流,確定所有電流鏡并聯(lián)支路的輸出電流的平均值作為基準(zhǔn)電流,根據(jù)該基準(zhǔn)電流控制所述電流鏡補(bǔ)償電路為對應(yīng)的MSB電流鏡支路提供補(bǔ)償電流。
4.如權(quán)利要求2或3所述的SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,所述電壓檢測模塊具體用于將所述校準(zhǔn)電阻最先采樣的電流鏡并聯(lián)支路輸出電流對應(yīng)輸出的電壓信號作為基準(zhǔn)電壓,依次將所述校準(zhǔn)電阻后續(xù)采樣的其余電流鏡并聯(lián)支路輸出電流對應(yīng)輸出的電壓信號作為各自獨(dú)立的檢測電壓,并依次將每一檢測電壓與基準(zhǔn)電壓作比較,直至每一檢測電壓不小于基準(zhǔn)電壓,或者所述電流鏡補(bǔ)償電路所提供的補(bǔ)償電流總值達(dá)到最大補(bǔ)償電流值。
5.如權(quán)利要求1所述的SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,所述電壓檢測模塊為電壓比較器或SoC基帶芯片中的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
6.如權(quán)利要求1所述的SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,所述電流鏡補(bǔ)償電路包括至少一個電流鏡補(bǔ)償支路,所述電流鏡補(bǔ)償支路與所述MSB電流鏡支路并聯(lián)連接。
7.如權(quán)利要求6所述的SoC基帶芯片中電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的失配校準(zhǔn)電路,其特征在于,所述電流鏡補(bǔ)償支路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管;
所述第一MOS管的柵極、第二MOS管的柵極、第三MOS管的柵極和第四MOS管的柵極相互連接,且均與所述校準(zhǔn)控制模塊連接;所述第一MOS管的漏極、第二MOS管的漏極、第三MOS管的漏極和第四MOS管的漏極均與電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入電源連接;所述第一MOS管的源極、第二MOS管的源極、第三MOS管的源極和第四MOS管的源極均與所述第五MOS管的漏極連接;所述第五MOS管的柵極與所述校準(zhǔn)控制模塊連接,所述第五MOS管的源極與所述校準(zhǔn)切換開關(guān)模塊連接。
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