[發明專利]一種復合陶瓷基微帶隔離器

在審

• 申請號: 201711012045.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107834138A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 朱小明;陳洋;薛新忠;高永全;王列松
• 申請（專利權）人: 蘇州華博電子科技有限公司
• 主分類號: H01P1/36
• 分類號: H01P1/36
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司32218
• 代理人: 夏平

技術領域

本發明涉及一種復合陶瓷基微帶隔離器。

背景技術

隨著現代科學技術的發展，微波集成電路往集成度高、體積小、質量輕、工作頻帶寬等方向發展，這對其中的關鍵元件——微帶隔離器提出了更高的要求。

現有主流的微帶隔離器主要通過在全尺寸鐵氧體表面制作微帶電路及負載，由于鐵氧體材料本身的特性限制，制作出來的微帶隔離器工作頻段較窄、且功率容量比較小，已經無法滿足未來微波集成電路的發展需要。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種高功率容量、寬工作頻帶、可靠性高、結構簡單的復合陶瓷基微帶隔離器。

為解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案為：復合陶瓷基微帶隔離器，包括基片、設置在基片上的微帶電路及負載電阻，基片包括介質陶瓷基片，介質陶瓷基片上設有容置凹槽，容置凹槽設有鐵氧體基片，鐵氧體基片與介質陶瓷基片表面齊平，微帶電路包括設置在鐵氧體基片上的中心金屬結，介質陶瓷基片上設有三根信號傳輸線，信號傳輸線通過金屬化介質橋與中心金屬結相連接，其中一根信號傳輸線與負載電阻相連接。

作為一種優選的方案，所述鐵氧體基片燒結在介質陶瓷基片上凹槽中。

作為一種優選的方案，所述陶瓷基片為氮化鋁陶瓷基片或是氧化鋁陶瓷基片、或高阻硅陶瓷基片。

作為一種優選的方案，所述金屬化介質橋為金屬化聚酰亞胺或金屬化氮化鋁或金屬化二氧化硅介質橋。

作為一種優選的方案，所述負載電阻為半圓形或矩形或扇形薄膜電阻。

作為一種優選的方案，所述微帶電路通過真空鍍膜、或電鍍、或光刻、或蝕刻工藝制作于基片正面。

本發明的有益效果是：所述復合陶瓷基片采用中間鐵氧體圓形基片燒結嵌入外環氮化鋁介質陶瓷中，且微帶電路圓形平面金屬中心結主要制作于中間鐵氧體圓形基片上，信號傳輸線主要制作于外環氮化鋁介質陶瓷基片上的方式，該設計能夠有效的增加整體器件工作頻段帶寬；

所述圓形平面金屬中心結和三個信號傳輸線分別由三個金屬化聚酰亞胺介質橋連接導通，相對于傳統金絲鍵合的連接方式，極大的提高了可靠性，簡化了后序封裝操作；所述負載電阻制作于具有高導熱系數的氮化鋁基材上，相對于傳統的全尺寸鐵氧體結構器件，整體器件的功率容量得到了極大的提升。器件整體具有高功率容量、寬工作頻帶、可靠性高、結構簡單等特點。

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖。

圖1中：1.介質陶瓷基片，2.鐵氧體基片，3.信號傳輸線，4.中心金屬結，5.金屬化介質橋，6.負載電阻。

具體實施方式

下面結合附圖，詳細描述本發明的具體實施方案。

如圖1所示，復合陶瓷基微帶隔離器，包括基片、設置在基片上的微帶電路及負載電阻6。所述負載電阻6為半圓形薄膜電阻。

基片包括氮化鋁介質陶瓷基片1，氮化鋁介質陶瓷基片1上設有容置凹槽，容置凹槽中設有鐵氧體基片2，鐵氧體基片2與氮化鋁介質陶瓷基片1表面齊平，微帶電路包括設置在鐵氧體基片2上的中心金屬結4，氮化鋁介質陶瓷基片1上設有三根信號傳輸線3，信號傳輸線3通過金屬化聚酰亞胺介質橋5與中心金屬結4相連接。其中一根信號傳輸線3與負載電阻6相連接。

所述微帶電路通過真空鍍膜、或電鍍、或光刻、或蝕刻工藝制作于基片正面。

上述的實施例僅例示性說明本發明創造的原理及其功效，以及部分運用的實施例，而非用于限制本發明；應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明創造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。