[發明專利]一種區熔氣摻單晶硅的供氣系統

有效

• 申請號: 201711011615.4
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN109707998B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 尚銳剛;王永濤;白杜娟;孟雪瑩;李明飛;閆志瑞
• 申請（專利權）人: 有研半導體材料有限公司
• 主分類號: F17D1/04
• 分類號: F17D1/04;F17D3/01
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青;熊國裕

1.一種區熔氣摻單晶硅的供氣系統，其特征在于，包括：供氣裝置、氣體分流裝置和管道清掃裝置；其中，所述供氣裝置包括第一氣瓶和第二氣瓶，每個所述氣瓶中的氣體濃度不同；所述氣體分流裝置中設置有與所述供氣裝置的所述氣瓶對應的兩個儲氣裝置，該兩個儲氣裝置分別為第一儲氣管和第二儲氣管，用于對多臺設備同時供應不同濃度的氣體；所述管道清掃裝置包括第三氣瓶和真空發生器，第三氣瓶為高純氮氣瓶，高純氮氣瓶通過供氣管道分別連接至供氣裝置的各氣瓶與儲氣裝置之間的供氣管道上，高純氮氣瓶另通過供氣管道連接真空發生器，然后連接至供氣裝置的各氣瓶與儲氣裝置之間的供氣管道上，用于為所述供氣裝置供應高純氮氣；

所述供氣裝置的兩個氣瓶中，第一氣瓶通過供氣管道依次順序連接第一減壓閥、第一壓力表、第一過濾器和第一隔膜閥開關；第二氣瓶通過供氣管道依次順序連接第二減壓閥、第二壓力表、第二過濾器和第四隔膜閥開關；

所述氣體分流裝置包括兩個儲氣管；第一儲氣管通過供氣管道連接第二隔膜閥開關，第二隔膜閥開關通過供氣管道經第三壓力表連接設備A；第一儲氣管通過供氣管道連接第三隔膜閥開關，第三隔膜閥開關通過供氣管道經第四壓力表連接設備B；第二儲氣管通過供氣管道連接第五隔膜閥開關，第五隔膜閥開關通過供氣管道經第三壓力表連接設備A；第二儲氣管連接通過供氣管道連接第六隔膜閥開關，第六隔膜閥開關通過供氣管道經第四壓力表連接設備B；

所述管道清掃裝置包括第三氣瓶和真空發生器；第三氣瓶、第三減壓閥、第五壓力表、第七隔膜閥開關依次通過供氣管道相互連接，再連接到供氣裝置的第二氣瓶和第二減壓閥之間的供氣管道；第三氣瓶、第三減壓閥、第五壓力表、第八隔膜閥開關依次通過供氣管道連接，再連接到供氣裝置的第一氣瓶和第一減壓閥之間的供氣管道；第三氣瓶、第四減壓閥、第六壓力表、第十三隔膜閥開關依次通過供氣管道連接至真空發生器；真空發生器、第七壓力表、第九隔膜閥開關依次通過供氣管道連接到供氣裝置的第一氣瓶和第一減壓閥之間的供氣管道；真空發生器、第七壓力表、第十隔膜閥開關依次通過供氣管道連接到所述供氣裝置的第二氣瓶和第二減壓閥之間的供氣管道；真空發生器、第七壓力表、第十一隔膜閥開關依次通過供氣管道連接到所述供氣裝置的第一減壓閥和第一壓力表之間的供氣管道；真空發生器、第七壓力表、第十二隔膜閥開關依次通過供氣管道連接到所述供氣裝置第二減壓閥和第二壓力表之間的供氣管道。

2.根據權利要求1所述的供氣系統，其特征在于，所述第三氣瓶中氣體為純度大于99.999%的高純氮氣。

3.根據權利要求1所述的供氣系統，其特征在于，所述供氣管道材質為PE級316L不銹鋼。

4.根據權利要求1所述的供氣系統，其特征在于，所述供氣裝置的供氣壓力控制在5-7bar。

5.根據權利要求1所述的供氣系統，特征在于，所述供氣裝置中，較高濃度的氣瓶氣源濃度范圍為60-1000ppm，較低濃度的氣瓶氣源濃度范圍為5-60ppm。