[發明專利]一種紅黃光發光二極管芯片及其制造方法

在審

• 申請號: 201711010646.8
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN107968140A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 王世俊;邢振遠;李彤;董耀盡
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/54;H01L33/60
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述芯片包括依次層疊的P型電極、基板、金屬反射層、P型歐姆接觸層、P型電流擴展層、P型限制層、有源層、N型限制層、N型電流擴展層、N型反射層、N型歐姆接觸層，N型電極，

所述N型反射層為超晶格結構，所述超晶格結構包括第一子層和第二子層，所述第一子層為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，0.8≤x≤1，所述第一子層的厚度為50～60nm，所述第二子層為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，0.4≤y≤0.6，所述第二子層的厚度為55～65nm，所述第一子層的折射率比所述第二子層的折射率小0.1～0.2；

所述N型電極、N型歐姆接觸層和N型反射層在所述基板上的正投影重合，且所述N型電極、N型歐姆接觸層和N型反射層在所述基板上的正投影小于所述N型電流擴展層在所述基板上的正投影。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型反射層的周期為5～13。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型電流擴展層的靠近所述N型電極的一面上設有粗化區域，所述粗化區域位于所述N型電極在所述N型電流擴展層上的正投影之外。

4.一種紅黃光發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型反射層、N型電流擴展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴展層、P型歐姆接觸層，所述N型反射層為超晶格結構，所述超晶格結構包括第一子層和第二子層，所述第一子層為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，0.8≤x≤1，所述第一子層的厚度為50～60nm，所述第二子層為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，0.4≤y≤0.6，所述第二子層的厚度為55～65nm，所述第一子層的折射率比所述第二子層的折射率小0.1～0.2；

在所述P型歐姆接觸層上制作金屬反射層；

將所述金屬反射層粘合到基板上；

依次去除所述襯底、緩沖層和N型腐蝕停層；

在所述N型歐姆接觸層上制作N型電極；

去除位于所述N型電極在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型歐姆接觸層和所述N型反射層；

在所述基板的背向所述金屬反射層的一側面上制作P型電極。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述N型反射層的周期為5～13。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述去除位于所述N型電極在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型反射層，包括：

從所述N型粗化反射層遠離所述基板的一側面向靠近所述基板的方向進行粗化處理，且粗化深度大于所述N型粗化反射層的總厚度，以去除掉除位于所述N型電極在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型反射層。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述從所述N型反射層遠離所述基板的一側面向靠近所述基板的方向進行粗化處理，包括：

在粗化液中進行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述N型反射層的總厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的時間最長。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一次粗化的時間為1～2min。

9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述粗化液由比例為5:1的磷酸和鹽酸配置。

10.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述粗化深度為1.0～1.6um。