[發(fā)明專利]扇出型天線封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711008673.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107706520A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳彥亨;林正忠;吳政達(dá);林章申;何志宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q1/38 | 分類號(hào): | H01Q1/38;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 扇出型 天線 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述扇出型天線封裝結(jié)構(gòu)包括:
半導(dǎo)體芯片;
塑封材料層,包括相對(duì)的第一表面及第二表面,所述塑封材料層塑封于所述半導(dǎo)體芯片的外圍,且暴露出所述半導(dǎo)體芯片的正面;所述塑封材料層內(nèi)形成有激光通孔,所述激光通孔上下貫通所述塑封材料層;
導(dǎo)電柱,填充于所述激光通孔內(nèi),且上下貫通所述塑封材料層;
天線結(jié)構(gòu),位于所述塑封材料層的第一表面上,且與所述導(dǎo)電柱電連接;
重新布線層,位于所述塑封材料層的第二表面上,且與所述半導(dǎo)體芯片及所述導(dǎo)電柱電連接;
焊料凸塊,位于所述重新布線層遠(yuǎn)離所述塑封材料層的表面上,且與所述重新布線層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導(dǎo)體芯片包括:
裸芯片;
接觸焊墊,位于所述裸芯片上,并與所述裸芯片電連接;其中,所述接觸焊墊所在的表面為所述半導(dǎo)體芯片的正面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電柱截面的形狀為倒梯形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述天線結(jié)構(gòu)包括交替疊置的介質(zhì)層及金屬天線,且所述天線結(jié)構(gòu)的頂層為金屬天線,相鄰所述金屬天線之間及所述金屬天線與所述導(dǎo)電柱之間均經(jīng)由金屬插塞電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述天線結(jié)構(gòu)包括一層金屬天線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述金屬天線的形狀呈矩形螺旋狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述金屬天線的數(shù)量為多個(gè),多個(gè)所述金屬天線沿所述介質(zhì)層表面延伸的方向呈陣列排布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述重新布線層包括:
絕緣層,位于所述塑封材料層的第二表面上;
至少一層金屬線層,位于所述絕緣層內(nèi),且與所述半導(dǎo)體芯片及所述導(dǎo)電柱電連接;
凸塊下金屬層,位于所述絕緣層內(nèi)及所述絕緣層遠(yuǎn)離所述塑封材料層的表面,且與所述金屬線層及所述焊料凸塊電連接。
9.一種扇出型天線封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述扇出型天線封裝結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟:
1)提供一載體,并于所述載體的上表面形成剝離層;
2)提供半導(dǎo)體芯片,將所述半導(dǎo)體芯片正朝下裝設(shè)于所述剝離層的表面;
3)于所述剝離層的表面形成塑封材料層,所述塑封材料層將所述半導(dǎo)體芯片塑封;所述塑封材料層包括相對(duì)的第一表面及第二表面,所述塑封材料層的第二表面與所述剝離層相接觸;
4)去除所述載體及所述剝離層;
5)于所述塑封材料層的第二表面形成重新布線層,所述重新布線層與所述半導(dǎo)體芯片電連接;
6)采用激光打孔工藝于所述塑封材料層內(nèi)形成激光通孔,所述激光通孔暴露出部分所述重新布線層;
7)于所述激光通孔內(nèi)形成導(dǎo)電柱,所述導(dǎo)電柱與所述重新布線層電連接;
8)于所述塑封材料層的第一表面形成天線結(jié)構(gòu),所述天線結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電柱電連接;
9)于所述重新布線層遠(yuǎn)離所述塑封材料層的表面形成焊球凸塊,所述焊球凸塊與所述重新布線層電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型天線封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,步驟8)于所述塑封材料層的第一表面形成天線結(jié)構(gòu)包括如下步驟:
8-1)于所述塑封材料層的第一表面形成第一層介質(zhì)層;
8-2)于所述第一層介質(zhì)層內(nèi)形成第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口暴露出所述導(dǎo)電柱的上表面;
8-3)于所述第一開(kāi)口內(nèi)形成第一金屬插塞,并于所述第一層介質(zhì)層的上表面形成第一層金屬天線,第一層所述金屬天線經(jīng)由所述第一金屬插塞與所述導(dǎo)電柱電連接;
8-4)于上表面形成有第一層所述金屬天線的所述第一介質(zhì)層的上表面形成第二層介質(zhì)層,所述第二層介質(zhì)層完全覆蓋覆蓋第一層所述金屬天線;
8-5)于所述第二層介質(zhì)層內(nèi)形成第二開(kāi)口,所述第二開(kāi)口暴露出部分第一層所述金屬天線;
8-6)于所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第二金屬插塞,并于所述第二層介質(zhì)層上形成第二層所述金屬天線。
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