[發(fā)明專利]提高X射線反射鏡薄膜均勻性和生產(chǎn)效率的方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711007075.2
• 申請(qǐng)日: 2017-10-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108203808A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張眾;黃秋實(shí);沈正祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同濟(jì)大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/04;C23C14/50
• 代理公司: 上?？剖⒅R(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 翁惠瑜

1.一種提高X射線反射鏡薄膜均勻性和生產(chǎn)效率的方法，其特征在于，該方法利用線型磁控濺射靶槍進(jìn)行反射鏡鍍膜，通過(guò)在靶槍的濺射方向設(shè)置掩膜版調(diào)節(jié)反射鏡上薄膜長(zhǎng)度方向的膜厚均勻性，同時(shí)控制反射鏡經(jīng)過(guò)靶槍的速度調(diào)節(jié)反射鏡的膜厚及反射鏡上薄膜寬度方向的均勻性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高X射線反射鏡薄膜均勻性和生產(chǎn)效率的方法，其特征在于，所述掩膜版遮蓋所述靶槍的靶面，且使靶面在不同位置處具有不同寬度的未遮掩面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高X射線反射鏡薄膜均勻性和生產(chǎn)效率的方法，其特征在于，不同位置的所述未遮掩面的寬度與該位置處的濺射速率成反比。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高X射線反射鏡薄膜均勻性和生產(chǎn)效率的方法，其特征在于，所述反射鏡經(jīng)過(guò)靶槍的速度變化規(guī)律為：從進(jìn)靶到出靶的過(guò)程中速度先增大后減小。

5.一種實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1所述的提高X射線反射鏡薄膜均勻性和生產(chǎn)效率的方法的裝置，其特征在于，包括靶槍、掩膜版、樣品架和電機(jī)，所述掩膜版設(shè)置于靶槍與樣品架之間，且固定于所述靶槍上，所述樣品架與靶槍間隔設(shè)置，所述電機(jī)與樣品架連接，控制樣品架圍繞所述靶槍旋轉(zhuǎn)，所述樣品架設(shè)有多個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述掩膜版與靶槍的距離為30-50mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述掩膜版包括間隔設(shè)置的一對(duì)圓弧狀長(zhǎng)條薄金屬板，間隔處形成的空間與所述未遮掩面相對(duì)應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述樣品架與靶槍間的距離為7-12cm。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述樣品架上設(shè)有反射鏡基底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述反射鏡基底為長(zhǎng)度方向200-500mm，寬度方向30-60mm的長(zhǎng)條形單晶硅或玻璃基底。