[發(fā)明專利]氣相生長裝置、環(huán)狀支架以及氣相生長方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711006295.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-25
• 公開（公告）號(hào): CN107978552B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 家近泰;津久井雅之;石川幸孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/67;H01L21/205
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣

本發(fā)明涉及氣相生長裝置、環(huán)狀支架以及氣相生長方法。實(shí)施方式的氣相生長裝置具備：反應(yīng)室；環(huán)狀支架，其為設(shè)置于反應(yīng)室內(nèi)并載置基板的環(huán)狀支架，具備環(huán)狀的外周部、和具有與外周部的上表面相比位于下方的基板載置面的環(huán)狀的內(nèi)周部，基板載置面是在圓周方向上重復(fù)凸區(qū)域和凹區(qū)域的六次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的曲面；和加熱器，其設(shè)置于環(huán)狀支架的下方。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及通過供給氣體來進(jìn)行成膜的氣相生長裝置、環(huán)狀支架以及氣相生長方法。

背景技術(shù)

作為形成高品質(zhì)的半導(dǎo)體膜的方法，有在晶片等基板上通過氣相生長來使單晶膜生長的外延生長技術(shù)。在使用外延生長技術(shù)的氣相生長裝置中，將晶片載置于被保持在常壓或減壓的反應(yīng)室內(nèi)的支承部上。

然后，將該晶片進(jìn)行加熱，同時(shí)從反應(yīng)室上部將作為成膜原料的源氣體等工藝氣體供給至反應(yīng)室內(nèi)的晶片表面。在晶片表面產(chǎn)生源氣體的熱反應(yīng)，在晶片表面形成外延單晶膜。

在晶片表面形成的外延單晶膜的特性依賴于晶片的溫度。因此，希望實(shí)現(xiàn)高的晶片面內(nèi)的溫度均勻性。

日本專利公開公報(bào)2015-195259號(hào)中記載了在載置晶片的接受器中設(shè)置有被配置于正六邊形頂點(diǎn)的基板支承部的氣相生長裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種可提高基板溫度的均勻性的氣相生長裝置、環(huán)狀支架以及氣相生長方法。

本發(fā)明的一個(gè)方案的氣相生長裝置具備：反應(yīng)室；環(huán)狀支架，該環(huán)狀支架是設(shè)置于所述反應(yīng)室內(nèi)并載置基板的環(huán)狀支架，具備環(huán)狀的外周部、和具有與所述外周部的上表面相比位于下方的基板載置面的環(huán)狀的內(nèi)周部，所述基板載置面是在圓周方向上重復(fù)凸區(qū)域和凹區(qū)域的六次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的曲面；和加熱器，該加熱器設(shè)置于所述環(huán)狀支架的下方。

本發(fā)明的一個(gè)方案的環(huán)狀支架包含：環(huán)狀的外周部、和具有與所述外周部的上表面相比位于下方的基板載置面的環(huán)狀的內(nèi)周部，所述基板載置面是在圓周方向上重復(fù)凸區(qū)域和凹區(qū)域的六次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的曲面。

本發(fā)明的一個(gè)方案的氣相生長方法包括以下步驟：

將硅基板載置于環(huán)狀支架上，其中，所述環(huán)狀支架包含：環(huán)狀的外周部、和具有與所述外周部的上表面相比設(shè)置于下方的基板載置面的環(huán)狀的內(nèi)周部，所述基板載置面是在圓周方向上重復(fù)凸區(qū)域和凹區(qū)域的六次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的曲面，以使表面為{111}面的所述硅基板的1-10方向與將對(duì)置的所述凸區(qū)域連接的方向或者將對(duì)置的所述凹區(qū)域連接的方向一致的方式將所述硅基板載置于所述環(huán)狀支架上，

使用設(shè)置于所述環(huán)狀支架的下方的加熱器對(duì)所述硅基板進(jìn)行加熱，

在所述硅基板上形成膜。

附圖說明

圖1是第1實(shí)施方式的氣相生長裝置的示意剖視圖。

圖2是第1實(shí)施方式的環(huán)狀支架的示意圖。

圖3A、圖3B是第1實(shí)施方式的環(huán)狀支架的示意圖。

圖4是第1實(shí)施方式的氣相生長方法的說明圖。

圖5是第1實(shí)施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖6A、圖6B是第1實(shí)施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖7是第1實(shí)施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖8A、圖8B是第2實(shí)施方式的環(huán)狀支架的示意圖。

圖9是第2實(shí)施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

在本說明書中，對(duì)相同或者類似的部件會(huì)有附加相同符號(hào)的情況。