[發明專利]多晶黑硅的擴孔工藝

有效

• 申請號: 201711005422.8
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107805845B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 章圓圓;常振宇;陳其成
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.多晶黑硅的擴孔工藝，其特征在于，先采用金屬輔助濕法化學刻蝕，將金剛線切割多晶硅片制備成帶納米孔洞的多晶黑硅；再分兩步對上述帶納米孔洞的多晶黑硅進行擴孔處理；所述擴孔處理包括如下步驟：

1）將上述帶納米孔洞的多晶黑硅置入第一個擴孔槽內進行預擴孔，預擴孔所用的擴孔液由8％～18％的氫氟酸、30％～50％的硝酸、0.2％～0.6％的擴孔輔助劑A和余量的純水混合而成；預擴孔的擴孔液溫度為5～20℃，預擴孔的腐蝕時間為20～100s；

所述擴孔輔助劑A由2.0%～5.0%的酒石酸、0.5%～2.0%的三乙醇胺、0.2%～1.0%的聚乙烯醇和余量的純水混合而成；

2）將經過預擴孔后的多晶黑硅置入第二個擴孔槽內進行再擴孔，再擴孔所用的擴孔液由0.1%～5.0%的氫氧化鉀、0.5%～1.0%的擴孔輔助劑B和余量的純水混合而成；再擴孔的擴孔液溫度為15～30℃，再擴孔的腐蝕時間為20～100s；

所述擴孔輔助劑B由1.0%～3.0%的檸檬酸、0.5%～2.0%的馬來酸酐共聚物、2.0%～4.0%的丙三醇和余量的純水混合而成；

其中，各百分比為體積百分比。

2.根據權利要求1所述的多晶黑硅的擴孔工藝，其特征在于，所述預擴孔所用的擴孔液由10％～12％的氫氟酸、37％～42％的硝酸、0.3％～0.5％的擴孔輔助劑A和余量的純水和混合而成；

所述擴孔輔助劑A由2.5%～3.5%的酒石酸、1.0%～1.3%的三乙醇胺、0.4%～0.6%的聚乙烯醇和余量的純水混合而成；

其中，各百分比為體積百分比。

3.根據權利要求2所述的多晶黑硅的擴孔工藝，其特征在于，所述預擴孔的擴孔液溫度為10～15℃，預擴孔的腐蝕時間為70～80s。

4.根據權利要求3所述的多晶黑硅的擴孔工藝，其特征在于，所述再擴孔所用的擴孔液由0.5%～1.0%的氫氧化鉀、0.5%～0.7%的擴孔輔助劑B和余量的純水混合而成；

所述擴孔輔助劑B由1.5%～2.0%的檸檬酸、0.5%～0.8%的馬來酸酐共聚物、2.5%～3.0%的丙三醇和余量的純水混合而成；

其中，各百分比為體積百分比。

5.根據權利要求4所述的多晶黑硅的擴孔工藝，其特征在于，所述再擴孔的擴孔液溫度為20～25℃，再擴孔的腐蝕時間為50～70s。