[發(fā)明專利]一種用于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的測(cè)試裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711004680.4
• 申請(qǐng)日: 2017-10-25
• 公開（公告）號(hào): CN107656185A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種寬禁帶半導(dǎo)體功率器件測(cè)試裝置，該測(cè)試裝置包括寬禁帶半導(dǎo)體功率器件輸入接口裝置、寬禁帶半導(dǎo)體功率器件輸出接口裝置、電源供給裝置、數(shù)據(jù)采集裝置、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)處理裝置和數(shù)據(jù)顯示裝置，其特征在于：所述數(shù)據(jù)采集采集裝置采集同一工況下寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的電壓、電阻和電感參數(shù)，并將上述參數(shù)存儲(chǔ)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置形成待測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體功率器件參數(shù)系列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬禁帶半導(dǎo)體功率器件測(cè)試裝置，其特征在于：所述數(shù)據(jù)處理裝置具有虛擬等效電路模塊和寄生參數(shù)模塊，所述的虛擬等效電路模塊能夠模擬寬禁帶半導(dǎo)體功率器件所要接入的電路，所述的寄生參數(shù)模塊能夠模擬待測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體功率器件所要接入的電路所產(chǎn)生的寄生電容與寄生電感。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬禁帶半導(dǎo)體功率器件測(cè)試裝置，其特征在于：所述數(shù)據(jù)采集裝置采集的參數(shù)包括：開通電壓、門極電感、門-源電壓、關(guān)斷電壓、漏極電感、門-漏電壓、開通電流、源極電感、漏-源電壓、關(guān)斷電流、門-源電容、跨導(dǎo)、導(dǎo)通電阻、門-漏電容、工作頻率、門限電壓、漏-源電容、門-源耦合電感、門電壓、門-源二極管、門-漏耦合電感、源-漏二極管、開通門電阻、漏-源耦合電感、關(guān)斷門電阻、輸入電容、門-源二極管正向電壓、輸出電容、門-源穩(wěn)態(tài)電壓、導(dǎo)通有效電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬禁帶半導(dǎo)體功率器件測(cè)試裝置，其特征在于：所述數(shù)據(jù)顯示裝置顯示的參數(shù)包括：門-源電壓、門極電感電壓、通道電流、門-漏電壓、漏極電感電壓、門-漏電容充電電流、漏-源電壓、源極電感電壓、漏-源電流、電流上升階段損耗、電壓上升階段損耗、正向?qū)〒p耗、電壓下降階段損耗、電流下降階段損耗、反向?qū)〒p耗、反向?qū)▔航怠⒎聪驅(qū)娏鳌⒎聪驅(qū)〞r(shí)長(zhǎng)、門-源電流、開通損耗、關(guān)斷損耗。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種寬禁帶半導(dǎo)體功率器件測(cè)試裝置，其特征在于：所述數(shù)據(jù)處理裝置還包括具有曲線描繪儀。