[發明專利]一種用于寬禁帶半導體功率器件的測試裝置

在審

• 申請號: 201711004680.4
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN107656185A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 王文博
• 申請（專利權）人: 北京國聯萬眾半導體科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種寬禁帶半導體功率器件測試裝置，該測試裝置包括寬禁帶半導體功率器件輸入接口裝置、寬禁帶半導體功率器件輸出接口裝置、電源供給裝置、數據采集裝置、數據存儲裝置、數據處理裝置和數據顯示裝置，其特征在于：所述數據采集采集裝置采集同一工況下寬禁帶半導體功率器件的電壓、電阻和電感參數，并將上述參數存儲到數據存儲裝置形成待測試寬禁帶半導體功率器件參數系列。

2.根據權利要求1所述的一種寬禁帶半導體功率器件測試裝置，其特征在于：所述數據處理裝置具有虛擬等效電路模塊和寄生參數模塊，所述的虛擬等效電路模塊能夠模擬寬禁帶半導體功率器件所要接入的電路，所述的寄生參數模塊能夠模擬待測試寬禁帶半導體功率器件所要接入的電路所產生的寄生電容與寄生電感。

3.根據權利要求1所述的一種寬禁帶半導體功率器件測試裝置，其特征在于：所述數據采集裝置采集的參數包括：開通電壓、門極電感、門-源電壓、關斷電壓、漏極電感、門-漏電壓、開通電流、源極電感、漏-源電壓、關斷電流、門-源電容、跨導、導通電阻、門-漏電容、工作頻率、門限電壓、漏-源電容、門-源耦合電感、門電壓、門-源二極管、門-漏耦合電感、源-漏二極管、開通門電阻、漏-源耦合電感、關斷門電阻、輸入電容、門-源二極管正向電壓、輸出電容、門-源穩態電壓、導通有效電流。

4.根據權利要求1所述的一種寬禁帶半導體功率器件測試裝置，其特征在于：所述數據顯示裝置顯示的參數包括：門-源電壓、門極電感電壓、通道電流、門-漏電壓、漏極電感電壓、門-漏電容充電電流、漏-源電壓、源極電感電壓、漏-源電流、電流上升階段損耗、電壓上升階段損耗、正向導通損耗、電壓下降階段損耗、電流下降階段損耗、反向導通損耗、反向導通壓降、反向導通電流、反向導通時長、門-源電流、開通損耗、關斷損耗。

5.根據權利要求2所述的一種寬禁帶半導體功率器件測試裝置，其特征在于：所述數據處理裝置還包括具有曲線描繪儀。