[發(fā)明專(zhuān)利]帶有直流電平漂移消除電路的可見(jiàn)光通信接收機(jī)專(zhuān)用芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711004517.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107846194A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛陸虹;韓東群
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H03F1/26
• 分類(lèi)號(hào): H03F1/26;H03F1/48;H03F3/04;H03F3/45;H04B10/116
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專(zhuān)利代理事務(wù)所12201
• 代理人: 杜文茹

1.一種帶有直流電平漂移消除電路的可見(jiàn)光通信接收機(jī)專(zhuān)用芯片，其特征在于，包括有依次串聯(lián)連接的：將經(jīng)過(guò)光探測(cè)器得到的電流信號(hào)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)并進(jìn)行放大的低功耗跨阻抗放大器(1)、用于改善光接收機(jī)的整體帶寬性能的后均衡電路(2)、用于將前級(jí)放大器輸出的電壓信號(hào)放大的三級(jí)限幅放大器(3)、雙端轉(zhuǎn)單端電路(4)以及用作信號(hào)判決的反向器(5)，所述反向器(5)的輸出端構(gòu)成可見(jiàn)光通信接收機(jī)專(zhuān)用芯片輸出端，還設(shè)置有起到反饋調(diào)節(jié)作用以穩(wěn)定電路直流工作點(diǎn)的直流電平偏移消除電路(6)，所述直流電平偏移消除電路(6)的輸入端連接所述多級(jí)限幅放大器(3)的輸出端，所述直流電平偏移消除電路(6)的輸出端連接所述后均衡電路(2)的輸入端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有直流電平漂移消除電路的可見(jiàn)光通信接收機(jī)專(zhuān)用芯片，其特征在于，所述的光探測(cè)器包括有連接在所述低功耗跨阻抗放大器(1)的正向輸入端的第二光電二極管(D2)，以及連接在所述低功耗跨阻抗放大器(1)的反向輸入端的第一光電二極管(D1)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有直流電平漂移消除電路的可見(jiàn)光通信接收機(jī)專(zhuān)用芯片，其特征在于，所述的低功耗跨阻抗放大器(1)包括有：第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的漏極均連接VDD電源，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的柵極各通過(guò)一個(gè)電阻(R1/R2)連接VDD電源，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的源極分別構(gòu)成輸出端(Out1/Out2)連接所述后均衡電路(2)的輸入端，所述第一MOS管(M1)的源極還分別連接所述第三MOS管(M3)的漏極以及第三電阻(R3)的一端，所述第三MOS管(M3)的源極接地，所述第三電阻(R3)的另一端與所述第三MOS管(M3)的柵極共同連接光探測(cè)器的輸出端，所述第二MOS管(M2)的源極還分別連接所述第四MOS管(M4)的漏極以及第四電阻(R4)的一端，所述第四MOS管(M4)的源極接地，所述第四電阻(R4)的另一端與所述第四MOS管(M4)的柵極共同連接光探測(cè)器的輸出端。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有直流電平漂移消除電路的可見(jiàn)光通信接收機(jī)專(zhuān)用芯片，其特征在于，所述三級(jí)限幅放大器(3)中的第一級(jí)放大電路和第二級(jí)放大電路結(jié)構(gòu)相同，均是以二極管形式連接的MOS管為負(fù)載的基本差分放大器，所述三級(jí)限幅放大器(3)中的第三極放大電路包括有：第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七M(jìn)OS管(M7)和第八MOS管(M8)，所述第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的漏極均連接VDD電源，所述第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的柵極各通過(guò)一個(gè)電阻(R5/R6)連接VDD電源，所述第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的源極分別構(gòu)成輸出端(Out3/Out4)分別連接所述雙端轉(zhuǎn)單端電路(4)的輸入端和直流電平偏移消除電路(6)的輸入端，所述第五MOS管(M5)的源極還分別連接所述第七M(jìn)OS管(M7)的漏極以及第二電容(C2)的一端，所述第七M(jìn)OS管(M7)的源極通過(guò)接地電流(Is)接地，所述第二電容(C2)的另一端與所述第八MOS管(M8)的柵極共同連接第二級(jí)放大電路的輸出端，所述第六MOS管(M6)的源極還分別連接所述第八MOS管(M8)的漏極以及第一電容(C1)的一端，所述第八MOS管(M8)的源極通過(guò)接地電流(Is)接地，所述第一電容(C1)的另一端與所述第七M(jìn)OS管(M7)的柵極共同連接第二級(jí)放大電路的輸出端。