[發明專利]OLED像素驅動電路及其驅動方法在審
| 申請號: | 201711004261.0 | 申請日: | 2017-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN107516489A | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發明(設計)人: | 王珊;溫亦謙 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂,劉巍 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 像素 驅動 電路 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED像素驅動電路及其驅動方法。
背景技術
作為新一代顯示技術,有機發光二極管(OLED)顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應速度等優點,因此備受市場的青睞。
OLED顯示裝置按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive MatrixOLED,PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)兩大類。其中,AMOLED具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
參見圖1,其為現有OLED的2T1C像素驅動電路示意圖,現有的驅動方法及像素結構,通過對OLED施加不同的直流驅動電壓,使得OLED在不同的灰階值下顯示所需要的色彩和亮度。2T1C指電路主要包括兩個薄膜晶體管和一個電容,其中一個薄膜晶體管T2為開關TFT,由掃描信號Gate控制,用于控制數據信號Data的進入,是控制電容Cst的充電開關,另一個薄膜晶體管T1為驅動TFT,用于驅動OLED,控制通過OLED的電流,電容Cst主要是用來存儲Data信號進而控制T1對OLED的驅動電流。在圖1所示電路中,作為舉例,T1和T2均采用了P型TFT。掃描信號Gate可以來自于柵極驅動器,對應于某一行掃描線,數據信號Data可以來自于源極驅動器,對應于某一列數據線。OVDD為電源高電位,OVSS為電源低電位。
掃描信號Gate打開后,數據信號Data的電壓Vdata接入到驅動TFTT1,存儲在電容Cst上,使得T1一直處于導通狀態,OLED長時間處于直流偏置狀態,內部的離子極性化形成內建電場,導致OLED的閾值電壓不斷增大,OLED的發光亮度不斷降低。長時間發光縮短了OLED的壽命。每個子像素OLED的衰老程度不同,使得屏幕顯示畫面不均,影響顯示效果。
如圖2a所示,其為現有OLED的6T1C像素驅動電路示意圖,圖2b為圖2a所示電路的時序圖。電路主要包括T1~T6共6個薄膜晶體管和1個電容C1,其中T6為N型TFT。按照時序圖示意,OLED的驅動過程由信號S1~S3控制,劃分為t1~t3共三個階段。但是以上現有6T1C像素驅動電路驅動方法存在以下不足:像素結構既有N型TFT又有P型TFT,結構工藝較為復雜;6T1C結構,有效發光面積較小。
總之,現有OLED像素驅動電路各自均存在缺陷,亟需改進。如圖1所示,現有OLED的2T1C像素驅動電路中,Gate打開后,Vdata電位存儲在電容Cst中,驅動TFT保持導通,使得OLED一直處于直流偏置狀態,此驅動方法容易引起OLED的衰老。如圖2a和圖2b所示,現有OLED的6T1C像素驅動電路TFT數量較多且類型不同,工藝復雜。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種OLED像素驅動電路,消除因驅動晶體管的工藝造成的閾值電壓的不同導致發光不均勻的現象。
本發明的另一目的在于提供一種OLED像素驅動電路的驅動方法,消除因驅動晶體管的工藝造成的閾值電壓的不同導致發光不均勻的現象。
為實現上述目的,本發明提供了一種OLED像素驅動電路,包括:
第一薄膜晶體管,其柵極連接第二節點,源極和漏極分別連接第三節點和第四節點;
第二薄膜晶體管,其柵極連接第一信號,源極和漏極分別連接第二節點和第四節點;
第三薄膜晶體管,其柵極連接第二信號,源極和漏極分別連接第一節點和第二節點;
第四薄膜晶體管,其柵極連接第三信號,源極和漏極分別連接第四節點和OLED的陽極;
OLED的陰極連接電源低電位;
電容,其兩端分別連接第一節點和第二節點;
第三節點連接電源高電位;
第一節點連接電壓輸入端以輸入數據電壓或參考電壓;
所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管及第四薄膜晶體管為P型晶體管。
其中,所述第一信號、第二信號以及第三信號的時序配置為包括數據電壓存儲階段,閾值電壓補償階段,以及發光階段。
其中,在所述數據電壓存儲階段和閾值電壓補償階段,電壓輸入端輸入數據電壓。
其中,在所述發光階段,電壓輸入端輸入參考電壓。
其中,在所述數據電壓存儲階段,第一信號為高電平,第二信號為低電平,第三信號為高電平。
其中,在所述閾值電壓補償階段,第一信號為低電平,第二信號為高電平,第三信號為高電平。
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