[發明專利]金屬封裝結構及制備方法、顯示面板的封裝方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201711004076.1
• 申請日: 2017-10-24
• 公開（公告）號: CN107785503A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 李杰威;殷川;熊先江;齊忠勝;屈麗桃
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種金屬封裝結構的制備方法，所述制備方法包括：

提供一金屬膜，所述金屬膜具有相對的第一表面和第二表面；

其特征在于，所述制備方法還包括：

在所述第一表面上形成硅烷膜；所述硅烷膜遠離所述金屬膜的表面具有活性基團；

將形成有所述硅烷膜的所述第一表面與膠層相貼合，以使所述活性基團與所述膠層反應相結合。

2.根據權利要求1所述的金屬封裝結構的制備方法，其特征在于，所述在所述金屬膜的所述第一表面上形成硅烷膜的步驟包括：

在所述金屬膜的所述第一表面和所述第二表面上均形成硅烷膜。

3.根據權利要求1或2所述的金屬封裝結構的制備方法，其特征在于，所述硅烷膜遠離所述金屬膜的表面還具有疏水基團。

4.根據權利要求1所述的金屬封裝結構的制備方法，其特征在于，所述在所述金屬膜的所述第一表面上形成硅烷膜的步驟包括：

對所述金屬膜的所述第一表面進行預處理，以使所述第一表面上具有羥基；

將硅烷水解液涂布在經過所述預處理的所述第一表面上；

對所述第一表面進行干燥處理，以使所述硅烷水解液與所述第一表面上的所述羥基發生反應生成附著在所述第一表面上的硅烷膜。

5.根據權利要求2所述的金屬封裝結構的制備方法，其特征在于，所述在所述金屬膜的所述第一表面和所述第二表面上均形成硅烷膜的步驟為：

對所述金屬膜的所述第一表面和所述第二表面均進行預處理，以使所述第一表面和所述第二表面上均具有羥基；

將所述金屬膜浸泡在硅烷水解液中，以使所述金屬膜的所述第一表面和所述第二表面上均附著有所述硅烷水解液；

對所述第一表面和所述第二表面均進行干燥處理，以使所述硅烷水解液與所述第一表面、所述第二表面上的羥基均發生反應生成附著在所述第一表面、所述第二表面上的硅烷膜。

6.根據權利要求4或5所述的金屬封裝結構的制備方法，其特征在于，所述對所述金屬膜的所述第一表面進行預處理，以使所述第一表面上具有羥基的步驟，或者，所述對所述金屬膜的所述第一表面和所述第二表面均進行預處理，以使所述第一表面和所述第二表面上均具有羥基的步驟包括：

對所述金屬膜的所述第一表面和所述第二表面進行清洗，以去除殘留污染物；

將所述金屬膜浸泡在堿性溶液中，以使所述第一表面和所述第二表面上具有羥基；

取出所述金屬膜用去離子水清洗，以去除所述第一表面和所述第二表面上殘留的所述堿性溶液。

7.根據權利要求4或5所述的金屬封裝結構的制備方法，其特征在于，所述硅烷水解液由硅烷偶聯劑經水解后形成。

8.一種金屬封裝結構，包括：

金屬膜，所述金屬膜具有相對的第一表面和第二表面；

其特征在于，所述金屬封裝結構還包括：

設置在所述第一表面上的硅烷膜，所述硅烷膜遠離所述金屬膜的表面具有活性基團；

貼合在附著有所述硅烷膜的所述第一表面上的膠層，所述膠層可與所述活性基團反應相結合。

9.根據權利要求8所述的金屬封裝結構，其特征在于，所述硅烷膜還設置在所述第二表面上。

10.根據權利要求8或9所述的金屬封裝結構，其特征在于，所述硅烷膜遠離所述金屬膜的表面還具有疏水基團。

11.根據權利要求8所述的金屬封裝結構，其特征在于，所述活性基團包括：具有雙鍵的基團和/或具有環氧基的基團；

所述膠層采用丙烯酸酯和/或環氧樹脂構成。

12.根據權利要求8所述的金屬封裝結構，其特征在于，所述金屬膜由鐵鎳合金構成；其中，所述鐵鎳合金中的鎳含量為總質量的35％～45％。