[發(fā)明專利]一種探測器芯片背面對準(zhǔn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711001283.1 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN107968133A | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 譚振;張敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 工業(yè)和信息化部電子專利中心11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 探測器 芯片 背面 對準(zhǔn) 方法 | ||
1.一種探測器芯片背面對準(zhǔn)方法，其特征在于，包括：
在探測器芯片正面進(jìn)行對準(zhǔn)標(biāo)記光刻，并進(jìn)行刻蝕和金屬沉積，生成正面對準(zhǔn)標(biāo)記；
按照探測器制備工藝，完成探測器正面所有工藝，以及探測器芯片與讀出電路芯片互連和底部填充；
對探測器芯片襯底進(jìn)行減薄直至漏出正面對準(zhǔn)標(biāo)記。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對探測器芯片進(jìn)行正面對準(zhǔn)標(biāo)記光刻，具體包括：
對探測器芯片正面涂光刻膠，進(jìn)行正面對準(zhǔn)標(biāo)記光刻，其中，標(biāo)記線寬大于2μm，烘膠溫度為60℃～80℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，對探測器芯片襯底進(jìn)行減薄直至漏出正面對準(zhǔn)標(biāo)記，具體包括：
對探測器芯片襯底進(jìn)行研磨、機(jī)械化學(xué)拋光，當(dāng)襯底厚度接近吸收層厚度時(shí)，通過化學(xué)腐蝕方式減薄直至漏出正面對準(zhǔn)標(biāo)記。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所，未經(jīng)中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 對準(zhǔn)標(biāo)記,對準(zhǔn)方法和對準(zhǔn)系統(tǒng)
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置、用于這樣的對準(zhǔn)裝置的對準(zhǔn)元件和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)標(biāo)記及其對準(zhǔn)方法
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- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)
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