[發明專利]碲鎘汞焦平面探測器芯片的應力釋放方法及碲鎘汞焦平面探測器芯片

在審

• 申請號: 201711000421.4
• 申請日: 2017-10-24
• 公開（公告）號: CN107978654A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 譚振;孫浩;張敏;劉世光
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/09
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心11010
• 代理人: 于金平

1.一種大面陣凝視型碲鎘汞焦平面探測器芯片的應力釋放方法，其特征在于，包括：

通過接觸式光刻，在碲鎘汞膜層上形成均勻分布的淺槽圖形；

通過電感耦合等離子體工藝刻蝕帶有光刻圖形的碲鎘汞薄膜；

通過電感耦合等離子體工藝刻蝕碲鎘汞，形成淺槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述淺槽的深度小于吸收層厚度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述淺槽為十字形。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述淺槽介于某兩個N形區域之間。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述淺槽的寬度小于像元間隔寬度。

6.一種大面陣凝視型碲鎘汞焦平面探測器芯片，其特征在于，該芯片為采用權利要求1-5中任意一項所述的方法制備得到。