[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710999725.X | 申請日: | 2017-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN107644881B | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 梁玉姣;方麗婷;鄭斌義;楊雁;吳玲;沈柏平 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括相對設置的第一基板和第二基板;
所述第一基板包括多條掃描線和多條數據線,所述多條掃描線和所述多條數據線交叉限定出多個像素單元,每個所述像素單元包括一個像素電極,所述像素電極電連接一個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的源極和有源層通過源極過孔電連接,沿所述掃描線的延伸方向,所述源極過孔位于相鄰設置的兩個所述像素單元之間;
所述第二基板包括多個彩色濾光單元,相鄰設置的兩個所述彩色濾光單元之間設置有黑矩陣;所述彩色濾光單元與所述像素單元一一對應;
相鄰設置的兩個所述像素單元分別為第一像素單元和第二像素單元,所述第一像素單元靠近所述源極過孔的邊緣為第一邊緣,所述第二像素單元靠近所述源極過孔的邊緣為第二邊緣,沿所述掃描線的延伸方向,所述源極過孔的邊緣與所述第一邊緣之間的最小距離為A,所述源極過孔的邊緣與所述第二邊緣的最小距離為B,則A小于B;
第一彩色濾光單元對應所述第一像素單元,第二彩色濾光單元對應所述第二像素單元,沿所述掃描線的延伸方向,所述黑矩陣靠近所述第一彩色濾光單元的一側形成有凸起結構,所述凸起結構與所述源極過孔對應設置;
其中,未形成所述凸起結構前,位于所述第一彩色濾光單元和所述第二彩色濾光單元之間的黑矩陣包括相互平行的第一側邊和第二側邊,所述第一側邊和所述第二側邊的延伸方向與所述數據線的延伸方向相同;所述第一邊緣與所述第一側邊在所述第一基板上的正投影重合,所述第二邊緣與所述第二側邊在所述第一基板上的正投影重合,所述黑矩陣在所述第一基板上的正投影完全覆蓋所述源極過孔;
沿所述掃描線的延伸方向,所述黑矩陣靠近所述第一彩色濾光單元的一側形成有凸起結構;相鄰設置的兩個所述像素電極分別為第一像素電極和第二像素電極,所述第一像素電極靠近所述第二像素電極的邊緣為第三邊緣,所述第二像素電極靠近所述第一像素電極的邊緣為第四邊緣,沿所述掃描線的延伸方向,所述第三邊緣和所述第四邊緣之間的距離為K,所述源極過孔沿所述掃描線延伸方向的最大尺寸為L,未形成所述凸起結構的所述黑矩陣沿所述掃描線延伸方向的寬度為P,所述第一基板與所述第二基板沿所述掃描線延伸方向的最大對位偏差為Q,則沿所述掃描線的延伸方向,B-A的取值范圍為大于或等于2{Q-[(P-L)/2]}且小于K-L。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,沿所述掃描線的延伸方向,所述凸起結構的邊緣在所述第一基板上的正投影與對應所述源極過孔的邊緣之間的最小距離大于或等于2.5μm。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,沿所述掃描線的延伸方向,所述黑矩陣的兩側均形成有凸起結構;
靠近所述第一彩色濾光單元一側的所述凸起結構與靠近所述第二彩色濾光單元一側的所述凸起結構的形狀相同。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,靠近所述第一彩色濾光單元一側的所述凸起結構的尺寸大于或等于靠近所述第二彩色濾光單元一側的所述凸起結構的尺寸。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,沿所述掃描線的延伸方向,所述黑矩陣的兩側均形成有凸起結構;
靠近所述第一彩色濾光單元一側的所述凸起結構與靠近所述第二彩色濾光單元一側的所述凸起結構的形狀不同。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,沿所述掃描線的延伸方向,所述黑矩陣靠近所述第一彩色濾光單元的一側形成有凸起結構;所述彩色濾光單元包括紅色濾光單元、綠色濾光單元以及藍色濾光單元;所述第一彩色濾光單元為所述紅色濾光單元或所述藍色濾光單元,所述第二彩色濾光單元為所述綠色濾光單元。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凸起結構在所述第一基板上的正投影為圓弧形、三角形、梯形或矩形中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,沿所述掃描線的延伸方向,形成于所述黑矩陣同一側的所述凸起結構的形狀以及尺寸相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





