[發(fā)明專利]導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710998772.2 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN109427435B | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許博義;邱見泰;林昱禎;朱世杰 | 申請(專利權(quán))人: | 佳陞科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 朱麗華 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 網(wǎng)線 圖案 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:
多條導(dǎo)電網(wǎng)線,形成于一透明基板上;
其中這些導(dǎo)電網(wǎng)線中的部分導(dǎo)電網(wǎng)線之上設(shè)置具有不同高度的阻障圖案層,該阻障圖案層借由一納米壓印過程將一光阻型材料設(shè)置于該導(dǎo)電網(wǎng)線,并借由一干式蝕刻過程以形成不同高度。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,該透明基板是選自軟性透明基板或玻璃。
3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的材料是選自金屬、金屬氧化物、碳基材料所組成族群之一。
4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的線寬介于10納米至100微米之間。
5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的間距介于10納米至100微米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的材料為選自銀、銅、鋁、鐵、鎂、錫、鎳、金、鈷、鈦、鉬、釹及其合金所組成族群之一。
7.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的材料為一石墨烯材料。
8.一種導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包含下列步驟:
步驟一:形成一導(dǎo)電層于一透明基板之上;
步驟二:通過一納米壓印制造形成一具有不同高度的阻障圖案層于該導(dǎo)電層之上;
步驟三:蝕刻未被該阻障圖案層遮蔽的該導(dǎo)電層以形成一導(dǎo)電網(wǎng)線;
步驟四:借由一干式蝕刻過程部分去除該阻障圖案層;
其中,步驟四使得部分的導(dǎo)電網(wǎng)網(wǎng)線之上仍具有該阻障圖案層,該阻障圖案層會具有黑化的效果,部分的導(dǎo)電圖案上完全去除該阻障圖案層,以形成一連接區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,在步驟二,還包含去除阻障圖案層之間的殘存材料。
10.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的材料是選自金屬、金屬氧化物、碳基材料所組成族群之一。
11.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的線寬介于10納米至100微米之間。
12.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,該導(dǎo)電網(wǎng)線的間距介于10納米至100微米之間。
13.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電網(wǎng)線圖案結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,在步驟四,該干式蝕刻過程是一氧電漿灰化光阻過程。
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