[發明專利]光刻系統及增強圖像對比度與寫入集成電路圖案的方法有效
| 申請號: | 201710998726.2 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN108227395B | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發明(設計)人: | 張世明;駱文 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻 系統 增強 圖像 對比度 寫入 集成電路 圖案 方法 | ||
1.一種增強圖像對比度的方法,用于一光刻工藝,包括:
接收一集成電路設計布局,其中,該集成電路設計布局包括將形成于一工件的一目標圖案;
根據該集成電路設計布局來產生一曝光圖,其中,該曝光圖包括一曝光網格,該曝光網格劃分為組合以形成該目標圖案的復數暗像素以及復數亮像素;以及
調整該曝光圖以增加在該目標圖案的多邊緣上的曝光劑量,其中,調整該曝光圖的步驟包括:
在該曝光圖中定位該目標圖案的一邊緣部分,其中,該邊緣部分具有一對應的亮像素;以及
將來自該等暗像素的至少一者的曝光劑量分配給該對應的亮像素,藉此產生一修改的曝光圖,其中將來自該等暗像素的至少一個的曝光劑量分配給該對應的亮像素的分配包括:
將分配給該等暗像素的至少一個的一ON遮沒指令改變為一OFF遮沒指令,其中該ON遮沒指令指示一光刻系統以遮沒一能量束;以及
將一ON網格偏移指令分配給該等暗像素的至少一個,其中該ON網格偏移指令指示該光刻系統以偏移該能量束,使該能量束越過該曝光網格中的至少一個像素。
2.如權利要求第1項所述的增強圖像對比度的方法,其中該邊緣部分的定位包括識別在該ON遮沒指令與該OFF遮沒指令之間的一轉換。
3.如權利要求第1項所述的增強圖像對比度的方法,其中該邊緣部分具有一對應的暗像素,且該等暗像素之至少一者的曝光劑量的分配包括將曝光能量自該對應的暗像素分配到該對應的亮像素。
4.如權利要求第3項所述的增強圖像對比度的方法,其中該對應的暗像素沿著一掃描方向系位于該對應的亮像素的之前或之后。
5.如權利要求第1項所述的增強圖像對比度的方法,其中該修改的曝光圖的產生包括產生復數光刻寫入指令給該等暗像素、該等亮像素和該對應的亮像素,使得當實施時,利用在該工件上的一單一掃描,該等光刻寫入指令實現了給予該等暗像素的一第一曝光劑量、給予該等亮像素的一第二曝光劑量、以及給予該對應的亮像素的一第三曝光劑量,其中該第二曝光劑量大于該第一曝光劑量,且該第三曝光劑量大于該第二曝光劑量。
6.如權利要求第1項所述的增強圖像對比度的方法,其中該曝光圖及該修改的曝光圖被用于光柵掃描該工件以在其上形成該目標圖案。
7.如權利要求第1項所述的增強圖像對比度的方法,更包括使用調整過的該曝光圖執行一光刻制程。
8.如權利要求第7項所述的增強圖像對比度的方法,其中該光刻制程為一電子束光刻制程。
9.一種寫入集成電路圖案的方法,用于增強一工件上的圖像對比度,包括:
產生一能量束;以及
根據一曝光布局將該工件曝光于該能量束,其中該曝光布局包括定義該集成電路圖案的復數暗像素及復數亮像素,且將該工件曝光于該能量束的曝光進一步包括:
將該能量束定位在對應該曝光布局的一第一暗像素的位置;
通過將分配給該第一暗像素的一ON遮沒指令改變為一OFF遮沒指令以及將一ON網格偏移指令分配給該第一暗像素,以不遮沒但將該能量束偏移至一第一亮像素來將該第一暗像素曝光于該工件上,其中該ON遮沒指令指示遮沒該能量束,且該ON網格偏移指令指示偏移該能量束;
將該能量束定位在對應該第一亮像素的位置;以及
通過不遮沒且不偏移該能量束來將該第一亮像素曝光于該工件上。
10.如權利要求第9項所述的寫入集成電路圖案的方法,其中該能量束被偏移以越過該曝光布局的一曝光網格的至少一個像素。
11.如權利要求9項所述的寫入集成電路圖案的方法,其中該能量束在垂直于該集成電路圖案的一邊緣的一掃描方向上掃描,使得該能量束沿著該掃描方向偏移到該第一亮像素。
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