[發(fā)明專利]一種混合開關(guān)三相逆變器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710997899.2 | 申請日: | 2017-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN107749720A | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡炎申 | 申請(專利權(quán))人: | 胡炎申 |
| 主分類號: | H02M7/48 | 分類號: | H02M7/48;H02M7/521;H02M7/527;H02M3/158 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 混合 開關(guān) 三相 逆變器 | ||
1.一種混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述混合開關(guān)三相逆變器包括:
直流電壓源;
與所述直流電壓源連接的開關(guān)電流源;
與所述開關(guān)電流源連接的三相逆變橋臂;
與所述三相逆變橋臂連接的交直流濾波電路;
與開關(guān)電流源及所述三相逆變橋臂連接的控制器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述直流電壓源包括:
直流輸入電源Vdc;
與所述直流輸入電源Vdc并聯(lián)的電容Cin。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述開關(guān)電流源包括:
全控型開關(guān)器件Sb;
與所述全控型開關(guān)器件Sb連接的電感Lb。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述三相逆變橋臂包括:
半控型功率開關(guān)器件S1、S2、S3、S4、S5和S6組成的換相電路;
所述半控型功率開關(guān)器件S1和S4串聯(lián)連接;
所述半控型功率開關(guān)器件S2和S5串聯(lián)連接;
所述半控型功率開關(guān)器件S3和S6串聯(lián)連接;
所述半控型功率開關(guān)器件S1和S4串聯(lián)連接后與所述半控型功率開關(guān)器件S2和S5串聯(lián)連接的器件并聯(lián);與所述半控型功率開關(guān)器件S3和S6串聯(lián)連接后的器件并聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述交直流濾波電路包括:
電容Ca,所述電容Ca與所述所述半控型功率開關(guān)器件S1和S4串聯(lián)連接的整體并聯(lián);
電容Cb,所述電容Cb與所述所述半控型功率開關(guān)器件S2和S5串聯(lián)連接的整體并聯(lián);
電容Cc,所述電容Cc與所述所述半控型功率開關(guān)器件S3和S6串聯(lián)連接的整體并聯(lián);
電感L1和電感L2、電感L3組成的電感單元;
所述電感單元中,所述電感L1與所述電容Ca并聯(lián);所述電感L2與所述電容Cb并聯(lián);所述電感L3與所述電容Cc并聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述控制器包括:
電壓外環(huán)和電流內(nèi)環(huán);
所述電壓外環(huán)由輸出電壓采樣電路與基準(zhǔn)正弦波信號比較后產(chǎn)生電壓誤差信號,經(jīng)過電壓補(bǔ)償器后得到電流參考信號,與輸出電流采樣信號比較并經(jīng)過輸出調(diào)制后得到正弦波脈沖寬度調(diào)制信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述三相逆變橋臂的換相電路為全橋、或半橋形式的電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述控制器為電壓環(huán)和電流環(huán)的雙環(huán)工作或只有一個(gè)電壓環(huán)或一個(gè)電流環(huán)的控制器。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述半控型功率開關(guān)器件為可控硅、晶閘管或GTO,也可使用全控型功率開關(guān)器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的混合開關(guān)三相逆變器,其特征在于,所述全控型功率開關(guān)器件可為全控型的三極管、MOSFET、IGCT或IGBT。
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