[發明專利]發光裝置在審
| 申請號: | 201710997464.8 | 申請日: | 2014-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN107768408A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平;平形吉晴;青山智哉;千田章裕 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H04B1/3888;H04M1/02;G06F3/041 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 金紅蓮 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 | ||
1.一種發光裝置,包括:
包括上表面一側、與所述上表面一側相反的下表面一側以及向所述上表面一側發光的發光元件的元件層;以及
面對所述元件層的所述上表面一側且貼合到所述元件層的襯底,
其中,所述襯底具有透光性及比大氣高的折射率,
并且,所述襯底的端部向元件層一側彎曲。
2.一種發光裝置,包括:
包括上表面一側、與所述上表面一側相反的下表面一側以及向所述上表面一側發光的發光元件的元件層;以及
面對所述元件層的所述上表面一側且貼合到所述元件層的襯底,
其中,所述襯底具有透光性及比大氣高的折射率,
所述襯底的端部與所述元件層的端部重疊,
并且,所述襯底的所述端部以及所述元件層的所述端部向所述元件層的所述下表面一側彎曲。
3.根據權利要求1所述的發光裝置,還包括:
所述元件層與所述襯底之間的包括樹脂以及粒子的粘合層,
其中所述粒子具有不同于所述樹脂的折射率。
4.根據權利要求2所述的發光裝置,還包括:
所述元件層與所述襯底之間的包括樹脂以及粒子的粘合層,
其中所述粒子具有不同于所述樹脂的折射率。
5.根據權利要求1所述的發光裝置,還包括:
覆蓋所述元件層的所述下表面一側以及所述襯底的側面的絕緣體。
6.根據權利要求2所述的發光裝置,還包括:
覆蓋所述元件層的所述下表面一側、所述元件層的側面以及所述襯底的側面的絕緣體。
7.根據權利要求1所述的發光裝置,還包括:
覆蓋所述元件層的所述下表面一側以及所述襯底的上表面一側的絕緣體。
8.根據權利要求2所述的發光裝置,還包括:
覆蓋所述元件層的所述下表面一側以及所述襯底的上表面一側的絕緣體。
9.根據權利要求1所述的發光裝置,還包括:
配置于所述元件層的所述下表面一側的蓄電裝置。
10.根據權利要求2所述的發光裝置,還包括:
配置于所述元件層的所述下表面一側的蓄電裝置。
11.根據權利要求1所述的發光裝置,還包括:
配置于所述元件層的所述下表面一側的蓄電裝置;以及
覆蓋所述蓄電裝置的保護層。
12.根據權利要求2所述的發光裝置,還包括:
配置于所述元件層的所述下表面一側的蓄電裝置;以及
覆蓋所述蓄電裝置的保護層。
13.根據權利要求11所述的發光裝置,
其中所述保護層覆蓋所述襯底的向所述元件層一側彎曲的部分。
14.根據權利要求12所述的發光裝置,
其中所述保護層覆蓋所述襯底的向所述元件層一側彎曲的部分。
15.根據權利要求11所述的發光裝置,
其中所述保護層以不夾著所述襯底的任何部分的方式與所述元件層重疊。
16.根據權利要求12所述的發光裝置,
其中所述保護層以不夾著所述襯底的任何部分的方式與所述元件層重疊。
17.根據權利要求1所述的發光裝置,
其中光提取部的一部分彎曲。
18.根據權利要求2所述的發光裝置,
其中光提取部的一部分彎曲。
19.根據權利要求1所述的發光裝置,
其中所述襯底以所述襯底的第一區域面對所述襯底的第二區域的方式彎曲。
20.根據權利要求2所述的發光裝置,
其中所述元件層以所述元件層的第一區域面對所述元件層的第二區域的方式彎曲。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





