[發明專利]包含將沉積腔室與處理腔室分開的隔離區域的處理系統

有效

• 申請號: 201710997020.4
• 申請日: 2015-11-03
• 公開（公告）號: CN107658249B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: K·杰納基拉曼;A·B·馬利克;H·K·波內坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;D·R·杜波依斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李煒;侯穎媖

1.一種基板傳送裝置，所述基板傳送裝置包括：

基板載體，所述基板載體具有在所述基板載體中的永久磁體；

一個或多個引導件，所述一個或多個引導件耦接至所述基板載體；

一個或多個導軌，所述一個或多個導軌匹配至所述一個或多個引導件；以及

磁電機，所述磁電機配置為將所述基板載體從第一預定位置移動到第二預定位置，

其中，所述基板載體包括主體，所述主體具有穿過所述主體的孔徑以部分地界定基板接收匣，所述基板接收匣具有開口并適用于允許基板支撐件通過所述開口，所述開口從由所述孔徑界定的壁到所述基板載體主體的外壁。

2.如權利要求1所述的基板傳送裝置，其中所述磁電機引起沿由所述一個或多個導軌界定的路徑而至所述基板載體的運動。

3.如權利要求1所述的基板傳送裝置，進一步包括控制器，所述控制器用于控制所述基板載體的操作。

4.如權利要求1所述的基板傳送裝置，其中所述一個或多個引導件包括滾珠軸承、實心軸承、空氣軸承、磁軸承、或上述各項的組合。

5.如權利要求2所述的基板傳送裝置，其中所述磁電機包括多個線圈，所述多個線圈用于將所述基板載體移動到一個或多個預定位置。

6.如權利要求4所述的基板傳送裝置，其中所述一個或多個引導件是磁軸承。

7.一種基板處理系統，所述基板處理系統包括：

第一處理區域；

第二處理區域；

隔離區域，所述隔離區域設置在所述第一處理區域與所述第二處理區域之間；以及

如權利要求1-6中任一項所述的基板傳送裝置，所述基板傳送裝置與所述第一處理區域、所述第二處理區域以及所述隔離區域流體地連通，其中所述基板傳送裝置允許經豎直地致動的基板舉升裝置通過所述基板傳送裝置。

8.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述基板傳送裝置在所述第一處理區域、所述第二處理區域與所述隔離區域之間傳送基板載體。

9.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域由第一腔室界定，并且所述第二處理區域由第二腔室界定。

10.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域和所述第二處理區域各自進一步包括基板支撐件。

11.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述隔離區域包括氣幕。

12.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是外延沉積腔室。

13.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是化學氣相沉積(CVD)腔室。

14.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是旋涂涂布腔室。

15.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是可流動型CVD腔室。

16.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是物理氣相沉積(PVD)腔室。

17.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是原子蒸氣沉積(ALD)腔室。

18.根據權利要求7所述的基板處理系統，其中所述第二處理區域是選自由以下各項組成的組的處理腔室：熱處理腔室、激光處理腔室、電子束處理腔室、UV處理腔室以及離子束注入腔室。