[發明專利]一種Ka波段SiGeBiCMOS射頻功率放大器

在審

• 申請號: 201710996862.8
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107659278A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 龔平
• 申請（專利權）人: 綿陽鑫陽知識產權運營有限公司
• 主分類號: H03F3/193
• 分類號: H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙)51220
• 代理人: 田甜

1.一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，包括依次連接的輸入匹配網絡、前級增益放大電路、級間匹配網絡、后級功率放大電路和阻抗變換網絡；

所述前級增益放大電路、后級功率放大電路均包括SiGe BiCMOS；

所述前級增益放大電路、后級功率放大電路的輸入端分別連接有第一偏置電路、第二偏置電路。

2.根據權利要求1所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述輸入匹配網絡、級間匹配網絡和阻抗變換網絡的電路結構相同。

3.根據權利要求1所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述輸入匹配網絡包括串聯在輸入端的第一電感和第一電容、連接在輸入端且另一端接地的第二電容。

4.根據權利要求3所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容的容值為1425pF至1575pF。

5.根據權利要求3所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容的容值為1500.1pF。

6.根據權利要求1所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述第一偏置電路包括第二電感，所述第二電感的兩端分別連接在前級增益放大電路的輸入端和電源上。

7.根據權利要求1所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述第二偏置電路包括相串聯后一端連接在電源上且另一端連接在后級功率放大電路的輸入端的第二電阻和第五電感。

8.根據權利要求1所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述前級增益放大電路還包括依次連接在SiGe BiCMOS集電極上的第三電感、第一電阻，所述第一電阻的另一端連接在電源上，前級增益放大電路SiGe BiCMOS的發射極接地。

9.根據權利要求1所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述后級功率放大電路還包括第六電感，所述第六電感的一端連接在電源上且另一端與SiGe BiCMOS集電極相連，后級功率放大電路SiGe BiCMOS的發射極接地。

10.根據權利要求8或者9所述的一種Ka波段SiGe BiCMOS射頻功率放大器，其特征在于，所述地為芯片的最高層金屬。