[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710995782.0
• 申請(qǐng)日: 2017-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN109698198A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)鰭片；

在所述鰭片之間的間隙內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面低于所述鰭片的頂面，以露出所述鰭片的一部分；

對(duì)露出的所述鰭片的側(cè)壁執(zhí)行第一離子注入；

蝕刻去除部分露出的所述鰭片的側(cè)壁，以減小所述鰭片的露出部分的寬度；

對(duì)露出的所述鰭片執(zhí)行第二離子注入，以在所述鰭片內(nèi)形成緩沖擴(kuò)散層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)鰭片的步驟包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成具有鰭片圖案的硬掩膜層；

以所述硬掩膜層為掩膜蝕刻去除部分所述半導(dǎo)體襯底，以形成多個(gè)鰭片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鰭片之間的間隙內(nèi)形成所述隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

沉積隔離材料層，以完全填充所述鰭片之間的間隙；

回刻蝕所述隔離材料層，以形成隔離結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在執(zhí)行第二離子注入后還包括去除所述硬掩膜層以及執(zhí)行第三離子注入以調(diào)節(jié)閾值電壓的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入注入的離子包括碳離子和硼離子、或者碳離子和磷離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入的注入角度為0°～5°，離子注入的能量為5keV～20keV，離子注入的劑量為5E12atom/cm²～5E13atom/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入注入的離子包括碳離子和氮離子、鍺離子和氮離子、碳離子和鍺離子、碳離子或者鍺離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入的注入角度為10°～20°，離子注入的能量為5keV～20keV，離子注入的劑量為5E13atom/cm²～5E14atom/cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述緩沖擴(kuò)散層形成于所述鰭片露出部分的底部及靠近底部的側(cè)壁上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝蝕刻去除部分露出的所述鰭片的側(cè)壁。

11.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個(gè)鰭片；

所述鰭片之間的間隙內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面低于所述鰭片的頂面，以露出所述鰭片的一部分；

所述鰭片露出部分的寬度小于未露出部分的寬度；

所述鰭片內(nèi)形成有緩沖擴(kuò)散層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖擴(kuò)散層的摻雜離子包括碳離子和氮離子、鍺離子和氮離子、碳離子和鍺離子、碳離子或者鍺離子。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖擴(kuò)散層形成于所述鰭片露出部分的底部及靠近底部的側(cè)壁上。