[發明專利]一種大型PVD多弧加磁控鍍銅設備及鍍銅工藝

有效

• 申請號: 201710994458.7
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107641791B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 沈紅軍
• 申請（專利權）人: 沈紅軍
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/16
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514
• 代理人: 李洪寶

1.一種大型PVD多弧加磁控鍍銅設備，其特征在于：包括真空爐、磁控平面銅靶、磁控中頻電源、偏壓脈沖電源、多弧鈦靶和多弧靶電源；磁控平面銅靶和多弧鈦靶布置于真空爐內側壁，并由相應的磁控中頻電源和多弧靶電源供電，所述真空爐上安裝有擴散泵抽真空機組和冷卻套，所述冷卻套安裝于真空爐外側壁并且設有環繞于真空爐的冷卻流道；

所述冷卻流道為多個并且均螺旋環繞于真空爐的外側壁；所述冷卻套內設有與真空爐相連的多個螺旋隔板，通過螺旋隔板將冷卻套與真空爐之間的空間隔成所述冷卻流道；所述冷卻套上端和下端均設有與各個冷卻流道相連通的環形流道；其中位于上端的環形流道連接有進液管，位于下端的環形流道連接有排液管；所述進液管低于各個冷卻流道的上端口，所述排液管高于各個冷卻流道的下端口。

2.一種大型PVD多弧加磁控鍍銅工藝，其特征在于：采用權利要求1所述的大型PVD多弧加磁控鍍銅設備對金屬件進行鍍銅加工，具體包括以下步驟：

S10、對待鍍金屬件表面除油、清洗后進行干燥處理，并將處理后的待鍍金屬件置入真空爐中；

S20、將真空爐抽真空至8×10^-3Pa；

S30、對真空爐中注入惰性氣體，使真空爐內的壓力控制在0.26Pa～0.29Pa；

S40、使用多弧鈦靶加負280V～320V偏壓轟擊清洗大型待鍍金屬件，清洗時間為1min～3min；

S50、使用多弧鈦靶加負70V～90V偏壓，時間1～3min；

S60、開啟磁控平面銅靶，靶電流為24A～28A,加負80V～120V偏壓，鍍膜時間為5min～8min分鐘；

S70、向真空爐中充入大氣，取出鍍好了銅膜的金屬件。

3.根據權利要求2所述的大型PVD多弧加磁控鍍銅工藝，其特征在于：所述步驟S10中待鍍金屬件表面除油、清洗采用超聲波清洗方式。

4.根據權利要求2所述的大型PVD多弧加磁控鍍銅工藝，其特征在于：所述步驟S30中的惰性氣體為氬氣、氦氣或氮氣中的任意一種或兩種混合氣體。

5.根據權利要求2所述的大型PVD多弧加磁控鍍銅工藝，其特征在于：所述步驟S40、S50和S60中真空爐內的溫度為110℃～150℃。

6.根據權利要求2所述的大型PVD多弧加磁控鍍銅工藝，其特征在于：所述金屬件鍍膜厚度為0.7μm～1.5μm。

7.根據權利要求2所述的大型PVD多弧加磁控鍍銅工藝，其特征在于：所述S60中磁控平面銅靶為純銅或合金銅。