[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201710992914.4
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN108063612A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 宮沢繁美
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/687;H02H9/02;F02P3/05
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;王穎

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

功率半導體元件，其連接于高電位側的第一端子與低電位側的第二端子之間，根據柵極電位而被控制為導通或截止；

電流檢測部，其檢測所述功率半導體元件的集電極電流值；

切斷條件檢測部，其檢測從控制端子輸入且對所述功率半導體元件進行控制的控制信號是否滿足預定的切斷條件；以及

第一開關元件，其相應于所述切斷條件檢測部檢測到所述控制信號滿足所述切斷條件這一情形，將所述功率半導體元件的所述柵極電位控制為截止電位，

所述切斷條件檢測部具有連接于所述電流檢測部的輸入端子，且將所述控制信號和所述集電極電流值用于所述切斷條件。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述切斷條件檢測部具有：

檢測部，其檢測所述控制信號是否超過了預定的閾值；以及

信號輸出部，其根據所述檢測部的檢測結果，輸出對所述第一開關元件進行控制的第一開關元件控制信號。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一開關元件將所述功率半導體元件的柵極與發射極電連接，使所述功率半導體元件的柵極為截止電位。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述切斷條件檢測部和所述第一開關元件構成第一柵極控制部，

所述半導體裝置具備第二柵極控制部，該第二柵極控制部根據所述功率半導體元件的集電極電流，控制所述功率半導體元件的所述柵極電流。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述功率半導體元件是IGBT或縱型MOSFET。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置是根據來自外部的控制信號對流通于點火線圈的電流進行控制的點火器。