[發明專利]一種陣列基板、其制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710992027.7
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107819080B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 王輝鋒;甘靜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板，包括：襯底基板、位于所述襯底基板上呈矩陣排列的多個陽極以及位于各所述陽極之間的像素界定層；其特征在于，還包括阻隔結構；

所述阻隔結構附著于所述像素界定層的側壁上，所述阻隔結構具有相對設置且與所述像素界定層的上表面平行的第一平面和第二平面，其中，所述第一平面為遠離所述襯底基板一側的平面；

所述第一平面距離所述襯底基板的高度小于所述像素界定層的上表面距離所述襯底基板的高度，其中所述第一平面具有疏液性。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素界定層的側壁上均附著有所述阻隔結構。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二平面與所述陽極相接觸。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述阻隔結構的材料與所述像素界定層的材料相同。

5.如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一平面距離所述襯底基板的高度與所述像素界定層的上表面距離所述襯底基板的高度之間的高度差為0.5μm～5μm。

6.如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一平面距離所述陽極的高度為0.1μm～5μm。

7.如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陽極的材料包括：透明導電材料或半透明導電材料。

8.一種如權利要求1-7任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成呈矩陣排列的多個陽極的圖形；

在形成有各所述陽極的襯底基板上形成位于各所述陽極之間的像素界定層，以及位于所述像素界定層的側壁上的阻隔結構；其中，所述第一平面距離所述襯底基板的高度小于所述像素界定層的上表面距離所述襯底基板的高度，并且所述第一平面具有疏液性。

9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有各所述陽極的襯底基板上形成位于各所述陽極之間的像素界定層，以及位于所述像素界定層的側壁上的阻隔結構，具體包括：

采用一次構圖工藝在形成有各所述陽極的所述襯底基板上形成位于各所述陽極之間的所述像素界定層；

采用一次構圖工藝在形成有所述像素界定層的所述襯底基板上形成所述阻隔結構。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-7任一項所述的陣列基板。