[發明專利]電容的制作方法

有效

• 申請號: 201710991684.X
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN109698274B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電容的制作方法，包含：

提供一基底，該基底上具有一犧牲層,其中該犧牲層的材料為非晶硅；

在該犧牲層中形成電容凹槽，其中該電容凹槽具有波浪狀的側壁輪廓；

在該電容凹槽的側壁上形成一下電極層；

在形成該下電極層后，在該電容凹槽中填滿一支撐層；

移除該犧牲層而形成多個由該下電極層以及該支撐層所構成的電容柱；

在該些電容柱上形成一電容絕緣層；以及

在該電容絕緣層上形成一上電極層,

其中形成該電容凹槽的步驟還包含：

使用氯化合物或溴化合物氣體的深反應性離子蝕刻制作工藝蝕刻裸露出的該犧牲層以形成一第一孔洞；

使用熱氧化制作工藝氧化非晶硅材質的該犧牲層，以在該第一孔洞的表面形成一氧化硅材質的保護層；

使用氟氯化合物氣體的各向異性蝕刻制作工藝蝕穿該第一孔洞底部的該保護層并裸露出下方的該犧牲層；

重復上述步驟直到形成多個上下彼此連結的孔洞，如此構成了該電容凹槽波浪狀的側壁輪廓；以及

在該電容凹槽形成后移除殘留的該保護層。

2.如權利要求1所述的電容的制作方法，還包含在形成該上電極層后在該上電極層形成一導體層。

3.如權利要求2所述的電容的制作方法，其中該導體層的材料為硅化鍺(SiGe)。

4.如權利要求1所述的電容的制作方法，還包含在填入該支撐層后在該電容凹槽的開口填滿一頂蓋層。

5.如權利要求4所述的電容的制作方法，該頂蓋層的材料為氮化硅。

6.如權利要求1所述的電容的制作方法，其中該下電極層的材料為氮化鈦。

7.如權利要求1所述的電容的制作方法，其中該支撐層的材料為氧化硅或是鎢。

8.如權利要求1所述的電容的制作方法，其中該電容絕緣層為氧化鋯與氧化鋁的交互疊層結構。

9.如權利要求1所述的電容的制作方法，其中該上電極層的材料為氮化鈦。