[發明專利]一種用于生長鉬酸鍶晶體的方法有效
| 申請號： | 201710991667.6 | 申請日： | 2017-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN107723796B | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發明（設計）人： | 李凌云;王國強;于巖;潘堅福;楊志鋒 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | G02B1/02 | 分類號： | G02B1/02;C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350116 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生長 鉬酸 晶體 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于生長SrMoO4 晶體的方法，其特征在于，采用頂部籽晶助熔劑法制備SrMoO4晶體，所用助熔劑為Na2MoO4+B2O3或K2MoO4+B2O3的復合助熔劑；在上述兩種復合助熔劑體系中，Na2MoO4或K2MoO4與B2O3的摩爾比為4:1；當用SrMoO4-Na2MoO4-B2O3體系來生長SrMoO4 晶體時，溶質SrMoO4的摩爾百分比為25%-10%，晶體生長溫度區間為990℃-880℃，降溫速率為0.5-5℃/天，晶轉速率為5-60rpm；當用SrMoO4-K2MoO4-B2O3體系來生長SrMoO4 晶體時，溶質SrMoO4的摩爾百分比為25%-10%，晶體生長溫度區間為1050℃-850℃，降溫速率為0.5-5℃/天，晶轉速率為5-60rpm。
2.根據權利要求1所述的一種用于生長SrMoO4 晶體的方法，其特征在于，SrMoO4的原料為SrCO3和MoO3，K2MoO4的原料為K2CO3和MoO3，Na2MoO4的原料為Na2CO3和MoO3，B2O3來源于H3BO3。
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