[發(fā)明專利]電連接器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710986501.5
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107994404B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 隆權(quán)
• 申請（專利權(quán)）人: 番禺得意精密電子工業(yè)有限公司
• 主分類號: H01R13/6582
• 分類號: H01R13/6582;H01R13/6585
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種電連接器，用以供一對接元件朝后插接，其特征在于，包括：一絕緣本體；至少一上接地端子和至少一下接地端子上下相對設(shè)置于所述絕緣本體；一屏蔽片，設(shè)于所述上接地端子和所述下接地端子之間，所述屏蔽片具有彎折延伸的至少一彈臂，所述彈臂具有依序延伸的一第一接觸部、一第二接觸部和一第三接觸部，所述第一接觸部接觸所述上接地端子，所述第二接觸部接觸所述下接地端子，所述第三接觸部接觸同一所述上接地端子，一第一連接部連接所述第一接觸部和所述第二接觸部，一第二連接部連接所述第二接觸部和所述第三接觸部，以提高屏蔽片的彈臂的彈性，增強彈臂與上、下接地端子的接觸力，從而達到穩(wěn)定接地效果，且節(jié)省制造屏蔽片所用材料的電連接器。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電連接器，尤指一種用于改善屏蔽片屏蔽效果的電連接器。

背景技術(shù)

隨著電連接器傳輸信號的頻率越來越高，對電連接器的屏蔽結(jié)構(gòu)也有了更高的標準，需要屏蔽結(jié)構(gòu)具有更優(yōu)良、更穩(wěn)定的接地效果，以滿足電連接器高頻傳輸性能的要求。現(xiàn)有的一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的電連接器，包括一絕緣本體，所述絕緣本體前端設(shè)有一對接腔用以供一對接元件插入，所述絕緣本體設(shè)有上、下兩排端子，上、下兩排端子的前端均顯露于所述對接腔用以與一對接連接器相對接，上排端子具有多個上接地端子，下排端子具有多個下接地端子，一屏蔽片設(shè)于上、下兩排端子之間，所述屏蔽片具有一基板，由基板撕裂形成多個上彈臂和多個下彈臂，分別與上接地端子和下接地端子接觸，用以屏蔽上、下兩排端子之間的訊號干擾，上、下接地端子分別焊接于電路板上的接地路徑接觸，從而形成屏蔽結(jié)構(gòu)。

由于上彈臂和下彈臂分別由基板撕裂成型，二者分離設(shè)置，力臂短，彈性差，與上、下接地端子接觸力弱，接觸效果不穩(wěn)定，且基板面積大，既浪費材料又容易積聚電荷，影響屏蔽片對干擾訊號的屏蔽效果，導致電連接器無法達到優(yōu)良的高頻信號傳輸性能。

本發(fā)明針對以上問題，提供一種新的電連接器，采用新技術(shù)手段以解決這些問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對背景技術(shù)所面臨的問題，本發(fā)明創(chuàng)作目的在于提供一種提高屏蔽片的彈臂的彈性，以增強彈臂與上、下接地端子的接觸力，從而達到穩(wěn)定接地效果，且節(jié)省制造屏蔽片所用材料的電連接器。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段：

本發(fā)明提供一種電連接器，用以供一對接元件朝后插接，其特征在于，包括：一絕緣本體；至少一上接地端子和至少一下接地端子上下相對設(shè)置于所述絕緣本體；一屏蔽片，設(shè)于所述上接地端子和所述下接地端子之間，所述屏蔽片具有彎折延伸的至少一彈臂，所述彈臂具有依序延伸的一第一接觸部、一第二接觸部和一第三接觸部，所述第一接觸部接觸所述上接地端子，所述第二接觸部接觸所述下接地端子，所述第三接觸部接觸同一所述上接地端子，一第一連接部連接所述第一接觸部和所述第二接觸部，一第二連接部連接所述第二接觸部和所述第三接觸部。

進一步，一橋接部，設(shè)于兩相鄰所述彈臂之間，且連接兩相鄰所述彈臂的兩個所述第一連接部。

進一步，所述橋接部與所述彈臂由同一板材沖切而成，所述橋接部由上至下的寬度介于所述第一連接部的寬度的0.6倍至4倍之間。

進一步，所述彈臂具有由所述第三接觸部延伸的一第四接觸部接觸同一所述下接地端子，一第三連接部連接所述第三接觸部和所述第四接觸部，所述橋接部為第一橋接部，一第二橋接部連接兩相鄰所述彈臂的兩所述第三連接部。

進一步，所述第三連接部豎直設(shè)置，所述絕緣本體抵接于所述第三連接部的前側(cè)。

進一步，所述第一連接部與所述第二連接部關(guān)于所述第二接觸部對稱設(shè)置。

進一步，所述橋接部與所述第一連接部處于同一平面。

進一步，所述第二接觸部和所述第三接觸部皆呈圓弧設(shè)置，所述第二接觸部具有一第一內(nèi)徑，所述第三接觸部具有一第二內(nèi)徑小于所述第一內(nèi)徑。