[發(fā)明專利]基板組件、2D/3D可切換顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710985349.9 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107643605B | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉冬 | 申請(專利權)人: | 張家港康得新光電材料有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1339 | 分類號: | G02F1/1339;G02F1/1343;G02B30/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 韓建偉;梁文惠 |
| 地址: | 215634 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 切換 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種基板組件、2D/3D可切換顯示面板及顯示裝置。基板組件包括:第一基板,包括第一電極層,第一電極層包括利用第一隔斷區(qū)隔離的第一電極區(qū)域和第二電極區(qū)域,第一電極區(qū)域包括第一電光材料封裝部和自第一電光材料封裝部向外延伸的第一電連接部,第二電極區(qū)域設置有第二電連接部,第二電連接部用于設置金屬導電塊;第二基板,包括第二電極層,第二電極層和第一電極層相對設置,第二電極層包括利用第三隔斷區(qū)隔離的第一區(qū)域和第二區(qū)域,其中第一電連接部的投影位于第一區(qū)域中,第一電光材料封裝部的投影和第二電連接部的投影位于第二區(qū)域中,金屬導電塊的兩端與第二電連接部和第二電極層電連接。解決了上基板被腐蝕的問題。
技術領域
本發(fā)明涉及3D顯示裝置領域,具體而言,涉及一種基板組件、2D/3D可切換顯示面板及2D/3D可切換顯示裝置。
背景技術
目前3D Switch Cell(2D和3D切換單元)所用玻璃基板為ITO玻璃基板,當上下兩層ITO玻璃基板通過壓合成盒后,上下基板間ITO玻璃基板會形成類似可導電的“電容器”,當通電時,上下基板會存在電勢差形成設計要求的電場,用于控制上下基板間液晶分子進行翻轉,此為設計所必要項目。
但此種類似“電容器”上下基板為ITO整面涂覆,因目前成盒壓合后無法做到完全完全密封(臺階邊無法Cut on Seal),在密封框以內(AA區(qū))為設計有效區(qū),同時存在密封框以外區(qū)域裸露在“空氣中”,在做信賴性測試過程中THB項目時,因密封區(qū)域以外“無效區(qū)”同時具備兩個因素:ITO(導電膜)與空氣(伴隨水汽)接觸;上下基板通電時密封框外邊緣上下基板存在電勢差(交流電場),上下基板受電場和水汽影響,發(fā)生電化學腐蝕現象,影響電信號傳輸,甚至導致液晶分子翻轉異常。
目前現有解決方案為:將Spacer側單側基板在成盒前,使用激光(Laser)方式打隔離框將AA區(qū)以外的“無效區(qū)”與有效區(qū)域進行隔離,此設計方案可完全改善產品非臺階邊邊緣位置處的ITO腐蝕現象,因為Laser框隔離后,基板邊緣Laser框外“無效區(qū)”位置處上下基板無電勢差,因此避免電化學腐蝕反應發(fā)生。
但是,上述改善設計方案中在實際使用過程中仍然會存在電化學腐蝕現象,這是因為FPC焊接為單側焊接時,需求輸入不同大小和方向電壓,形成上下基板電勢差,設計要求在下基板10’的A接點11’和B接點12’分別進行焊接以及兩端分別輸入不同電信號(如圖1和2所示):A接點11’輸入PMW信號,通過金屬導電部與上基板20’側導通,B接點12’直接輸入GND信號通過隔離框13’“開口處”直接輸入下基板10’側AA區(qū)(隔離框內有效區(qū)),如此AA區(qū)存在分別由隔離框13’兩邊A接點11’和B接點12’輸入PMW和GND信號,然后通過控制PMW和GND信號差異,實現上下基板“有效區(qū)”存在人為控制電勢差,形成可控電場,按照人為意愿控制液晶分子翻轉與否(通電與否),實現2D和3D模式切換下基板側隔離框13’無法完全“封口”進行絕對隔離,即FPC輸入電壓時,當金屬導電部正常導通時,上基板20’側a接點21’與下基板10’側A接點11’連接形成相同電勢,因上基板20’側a接點21’和b接點22’為同電勢,故上基板20’側b接點22’與下基板10’側A接點11’為同電勢,因A接點11’和B接點12’存在電壓差,那么B接點12’和b接點22’間存在電壓差,當有水汽存在時,B接點直接裸露在外界環(huán)境中,從而發(fā)生電化學腐蝕現象。
發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種基板組件、2D/3D可切換顯示面板及2D/3D可切換顯示裝置,以解決現有技術中的基板組件的上基板的b接點被腐蝕的問題。
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