[發(fā)明專利]一種避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710985195.3 | 申請日： | 2017-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN107785222A | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙興;詹申申 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 避免 體內(nèi) 生成物 堆積 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置，其特征在于，包括：
反應腔體；
進氣口和出氣口，分別設置于所述反應腔體兩端；
冷卻水管道，分別設置于所述進氣口和出氣口腔體外壁，
其中，所述進氣口和出氣口靠近反應腔體處分別設置有導熱片，從而提高該區(qū)域的溫度，促使清潔氣體的清潔效率提升。
2.根據(jù)權利要求1所述的避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置，其特征在于，所述反應腔體為應用材料單晶硅長晶設備反應腔體。
3.根據(jù)權利要求1所述的避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置，其特征在于，所述清潔氣體為氯化氫氣體。
4.根據(jù)權利要求1所述的避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置，其特征在于，所述導熱片采用碳化硅材料的導熱片。
5.根據(jù)權利要求1所述的避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置，其特征在于，所述導熱片的導熱系數(shù)為大于等于50W/mK。
6.根據(jù)權利要求5所述的避免腔體內(nèi)部生成物堆積的裝置，其特征在于，所述導熱片的導熱系數(shù)為83.6W/mK。
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