[發(fā)明專利]一種套刻精度點(diǎn)檢方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710985188.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN107731706B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱曉斌;蔡亮;吳鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種套刻精度點(diǎn)檢方法，其特征在于，包括下列步驟：將裸晶圓在固定機(jī)臺(tái)進(jìn)行第一次曝光顯影；

將處理后的晶圓在需要進(jìn)行點(diǎn)檢的光刻機(jī)進(jìn)行第二次曝光顯影；

量測(cè)設(shè)計(jì)好的特征尺寸圖形，并通過(guò)特征尺寸與套刻精度的關(guān)系式，得到套刻精度點(diǎn)檢結(jié)果；

所述量測(cè)設(shè)計(jì)好的特征尺寸圖形通過(guò)將第一次曝光顯影獲得的圖形和第二次曝光顯影獲得的圖形的中心重疊后得到。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的套刻精度點(diǎn)檢方法，其特征在于，所述特征尺寸與套刻精度的關(guān)系式通過(guò)量測(cè)曝光后檢查特征尺寸的方式獲得。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的套刻精度點(diǎn)檢方法，其特征在于，所述特征尺寸與套刻精度的關(guān)系式為：

OVL_CDSEM＝|P_XL-P_XR|/2，

其中，OVL_CDSEM表示套刻精度，P_XL和P_XR分別表示第二次曝光顯影獲得的圖形兩側(cè)邊界距離第一次曝光顯影獲得的圖形兩側(cè)邊界的距離。