[發明專利]一種單層二硫化鉬和二氧化鈦納米異質結的制備方法

在審

• 申請號: 201710984971.8
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107803209A
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 劉玉峰;鄭新峰;房永征;侯京山;張娜;趙國營;張若愚;李倩倩
• 申請（專利權）人: 上海應用技術大學
• 主分類號: B01J27/051
• 分類號: B01J27/051;B82Y30/00
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種單層二硫化鉬和二氧化鈦納米異質結的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）將Si/SiO₂基底依次在去離子水、丙酮和乙醇中分別超聲清洗20~50分鐘，并吹干基底表面；將裝有三氧化鉬的石墨舟放置在化學氣相沉積裝置的高溫區加熱，將Si/SiO₂基底放置在裝有三氧化鉬的石墨舟上方，用真空泵將化學氣相沉積裝置的真空度調節在5mTorr以下；在化學氣相沉積裝置封閉的石英管中通入保護氣體5-10分鐘進行排空，加熱管式爐，升溫至700-800℃，保溫5-20分鐘，關閉加熱，冷卻至室溫，即可獲得片狀單層MoS₂；

2）將鈦酸四丁酯溶于無水乙醇中，再加入乙酰丙酮，鈦酸四丁酯、無水乙醇和乙酰丙酮的物料比為20mmol：30~50mL：20mmol，將混合液密封，在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠；

3）將片狀單層MoS₂從化學氣相沉積裝置中取出后依次浸入二氧化鈦溶膠、無水乙醇和去離子水中各40～50 秒，然后用無水乙醇沖洗片狀單層MoS₂，除去表面粘附的水，以上過程定義為一個吸附循環反應，進行至少兩次吸附循環反應后，將片狀單層MoS₂吹干，然后置于500～550℃的馬弗爐中退火1～2h，即可得到單層MoS₂/TiO₂納米異質結結構。

2.根據權利要求1所述一種單層二硫化鉬和二氧化鈦納米異質結的制備方法，其特征在于：步驟1)所述保護氣體為N2或Ar。

3.根據權利要求1所述一種單層二硫化鉬和二氧化鈦納米異質結的制備方法，其特征在于：步驟3)所述通過控制二氧化鈦吸附循環反應次數控制二氧化鈦的厚度。