[發明專利]一種高壓靜電集塵裝置用分壓調節式升壓電源系統

在審

• 申請號: 201710984898.4
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107659174A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 余泓德
• 申請（專利權）人: 成都塞普奇科技有限公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M1/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及的是一種電源電路，具體的說，是一種高壓靜電集塵裝置用分壓調節式升壓電源系統。

背景技術

高壓靜電集塵裝置是一種既能確保風量又能吸附微細顆粒的空氣凈化器。高壓電集塵是通過向永久帶電的濾芯的兩個電極施加高電壓，在兩極放電之時，使通過的塵埃帶電，使空氣中的粉塵在電的作用下，吸附到經過特殊加工、永久帶電濾芯之上。高壓靜電集塵裝置工作時則需要升壓電源電路來為其提供一個工作電壓，而高壓靜電集塵裝置空氣凈化器對空氣中的粉塵吸附的效果則取決于升壓電源電路輸出的高電壓是否穩定。

然而，現有的高壓靜電集塵裝置的升壓電源電路輸出電壓的穩定性較差，導致高壓靜電集塵裝置空氣凈化器的永久帶電濾芯的吸附效果差，致使高壓靜電集塵裝置空氣凈化器不能很好的消除空氣中的粉塵、細菌、霉菌等有害物質，從而無法有效的確保人們的呼吸健康。

因此，提供一種能輸出穩定的高電壓的高壓靜電集塵裝置用升壓電源電路便成為了當務之急。

發明內容

本發明的目的在于克服現有的高壓靜電集塵裝置的升壓電源電路輸出電壓的穩定性較差的缺陷，提供的一種高壓靜電集塵裝置用分壓調節式升壓電源系統。

本發明通過以下技術方案來實現：一種高壓靜電集塵裝置用分壓調節式升壓電源系統，主要由調節芯片U2，二極管整流器U1，場效應管MOS，三極管VT，與調節芯片U2的SW管腳相連接的電感濾波電路，正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負極經電阻R1后與二極管整流器U1的負極輸出端相連接的極性電容C1，正極與三極管VT的發射極相連接、負極接地的極性電容C2，P極與三極管VT的集電極相連接、N極經電感L1后與極性電容C2的負極相連接的二極管D1，正極經電阻R2后與極性電容C2的負極相連接、負極經電阻R3后與三極管VT的基極相連接的極性電容C3，一端與極性電容C3的負極相連接、另一端接地的電阻R4，P極與極性電容C3的負極相連接、N極與調節芯片U2的VIN管腳相連接的穩壓二極管D2，一端與調節芯片U2的TAB管腳相連接、另一端與調節芯片U2的GND管腳相連接后接地的電阻R5，一端與調節芯片U2的VIN管腳相連接、另一端與電感濾波電路相連接的電感L2，P極與調節芯片U2的SW管腳相連接、N極與場效應管MOS的源極相連接的二極管D3，正極經電阻R6后與調節芯片U2的FB管腳相連接、負極與場效應管MOS的柵極相連接的極性電容C6，P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極經可調電阻R7后與二極管D3的N極相連接的二極管D4，正極與場效應管MOS的源極相連接、負極與可調電阻R7的調節端相連接的極性電容C4，正極經電阻R8后與調節芯片U2的COMP管腳相連接、負極經電阻R9后與二極管D4的N極相連接的極性電容C7，以及正極與場效應管MOS的源極相連接、負極與二極管D4的N極相連接后接地的極性電容C5組成；所述三極管VT的集電極還與二極管整流器U1的正極輸出端相連接；所述極性電容C1的負極接地；所述二極管整流器U1的兩個輸入端共同形成電源電路的輸入端；所述極性電容C7的正極接地；所述二極管D3的N極與極性電容C5的負極共同形成電源電路的輸出端。

所述電感濾波電路由放大器P01，極性電容C01，一端與放大器P01的正極相連接、另一端經電感L2后與調節芯片U2的VIN管腳相連接的電阻R01，一端與極性電容C01的負極相連接、另一端接地的電阻R02，一端與放大器P01的正極相連接、另一端接地的電阻R03，正極與放大器P01的正極相連接、負極與放大器P01的輸出端相連接的極性電容C02，一端與極性電容C02的正極相連接、另一端與放大器P01的輸出端相連接的電阻R04，一端與極性電容C02的正極相連接、另一端與放大器P01的輸出端相連接的可調電阻R05，正極與放大器P01的負極相連接、負極與放大器P01的輸出端相連接的極性電容C03，一端與極性電容C03的正極相連接、另一端與極性電容C03的負極相連接的電阻R06，以及一端與放大器P01的輸出端相連接、另一端與調節芯片U2的SW管腳相連接的電阻R07組成；所述放大器P01的負極接地。

為確保本發明的實際使用效果，所述調節芯片U2則優先采用了LM2577S-ADJ集成芯片來實現；所述二極管整流器U1則優先優先采用了4只1N5221B二極管組成的二極管整流器來實現；同時所述可調電阻R7的阻值可調范圍為100～200Ω；所述場效應管MOS為MTP3N80場效應管。

本發明與現有技術相比，具有以下優點及有益效果：