[發明專利]通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法有效
| 申請號： | 201710984186.2 | 申請日： | 2017-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN107990918B | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發明（設計）人： | 劉濤;段曉爽;羅姜姜;姚艷波 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G01D5/16 | 分類號： | G01D5/16 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 馬明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 多級 結構設計 制備 敏感度 壓阻式 傳感器 方法 | ||
1.一種通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、在基體上形成若干個基本結構單元，并將若干個基本結構單元與基本結構單元堆砌組裝形成具有網絡結構的一級基本幾何單元，并形成位于相鄰基本幾何單元之間的一級接觸連接區，所述一級接觸連接區連接的強弱和數量通過一級基本幾何單元中基本結構單元的排列數量和排列方式調節；
步驟二、將若干個所述一級基本幾何單元通過陣列堆積組合形成二級幾何結構，并形成位于相鄰一級基本幾何單元之間的二級接觸連接區，所述二級接觸連接區連接的強弱和數量通過二級幾何結構中一級基本幾何單元的排列數量和排列方式調節；
步驟三、在基體上至少兩處點導電膠從而形成壓阻式傳感器的電極，獲得壓阻式傳感器。
2.根據權利要求1所述的通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法，其特征在于：所述基本結構單元和基本幾何單元的制作方法為光刻、軟刻、印刷、噴涂或者原位生長。
3.根據權利要求1所述的通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法，其特征在于：所述基本結構單元和基本幾何單元的制作方法為激光書寫。
4.根據權利要求1所述的通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法，其特征在于：所述基體為聚酰亞胺薄膜，膜厚10~2000μm。
5.根據權利要求4所述的通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法，其特征在于：所述聚酰亞胺薄膜的厚度為100~150μm。
6.根據權利要求1所述的通過多級結構設計制備高敏感度壓阻式傳感器的方法，其特征在于：所述基本結構單元為碳/石墨納米粒子、金屬納米粒子或者半導體納米粒子。
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