[發明專利]一種催化劑制備裝置

在審

• 申請號: 201710984154.2
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107519834A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 孫項龍
• 申請（專利權）人: 德清四?；び邢薰?/a>
• 主分類號: B01J19/18
• 分類號: B01J19/18;B01J19/00;B01J25/02
• 代理公司: 杭州千克知識產權代理有限公司33246
• 代理人: 裴金華

技術領域

本發明涉及催化劑制備技術領域，具體地指一種催化劑制備裝置。

背景技術

雷尼鎳又譯蘭尼鎳，加氫催化劑，是一種由帶有多孔結構的鎳鋁合金的細小晶粒組成的固態異相催化劑，它最早由美國工程師莫里·雷尼在植物油的氫化過程中，作為催化劑而使用。其制備過程是把鎳鋁合金用濃氫氧化鈉溶液處理，在這一過程中，大部分的鋁會和氫氧化鈉反應而溶解掉，留下了很干燥的活化后的雷尼鎳。

雷尼鎳在制備之后，反應釜內壁通常會殘留顆粒狀的雷尼鎳顆粒，其易燃的特性使得下次的雷尼鎳制備過程變得危險且不可控，因此需要每次人工清洗反應釜內部的雷尼鎳殘留物，造成制備周期延長，人力成本增加。

發明內容

申請本發明的目的就是要提供一種催化劑制備裝置，用于雷尼鎳催化劑的制備，其在制備過程中可實現內壁雷尼鎳殘留物的自清洗，并且液堿加入時與料液接觸充分，反應均勻，可控性更佳。

為實現上述目的，本發明所設計的一種催化劑制備裝置，包含有：

一反應釜，所述反應釜的截面為圓形，上表面為向上凸起的弧形面；

一液堿入口，所述液堿入口設置于所述反應釜頂面的中心處，所述液堿入口所在管路上設置有閥門；

一分流罩板，所述分流罩板位于所述反應釜的上表面的下方，其下沿與所述反應釜的內壁留有空隙；

一環流擋板，所述環流擋板設置于所述分流罩板與所述反應釜的內壁所形成的空隙下方，且液堿經所述空隙流下后落入到所述環流擋板上。

作為上述技術方案的優選，所述分流罩板的輪廓形狀與所述反應釜的上表面相適配，所述分流罩板與所述反應釜上表面之間的間隙保持不變。

作為上述技術方案的優選，所述分流罩板與所述反應釜上表面之間的間隙距離為0.5~3毫米。

作為上述技術方案的優選，所述分流罩板的下沿處于同一水平面上。

作為上述技術方案的優選，所述環流擋板的內緣與所述反應釜的內表面通過弧面相連接。

作為上述技術方案的優選，所述反應釜的上方設置有氮氣入口。

作為上述技術方案的優選，所述反應釜的上方設置有氫氣排空管，所述氫氣排空管的內壁設置有聚四氟乙烯涂層。

作為上述技術方案的優選，所述催化劑制備裝置還包括有一個攪拌裝置，所述攪拌裝置包括設置于所述攪拌釜內的攪拌轉子和設置于所述攪拌釜下方的磁力攪拌器。

作為上述技術方案的優選，所述反應釜上設置有用于投放料液的投放口。

環流擋板首先使得加入的堿液能夠較為分散的加入到料液中，反應充分均勻，降低了對攪拌的依賴；然后，液堿沿反應釜內壁流下，對濺射在內壁上的雷尼鎳起到一個清洗作用，防止其殘留物干燥引發安全隱患；只需分流罩板與環流擋板相配合的簡單結構即能夠反應更加充分和安全的雙重技術效果，同時使得反應能夠連續進行，節約了人工清理的時間和人力成本。

本發明與現有技術相比，具有以下優點及有益效果：

該催化劑制備裝置用于雷尼鎳催化劑的制備，其在制備過程中可實現內壁雷尼鎳殘留物的自清洗，并且液堿加入時與料液接觸充分，反應均勻，可控性更佳。

附圖說明

圖1為催化劑制備裝置結構示意圖。

圖中：反應釜1、液堿入口11、分流罩板12、環流擋板13、氮氣入口14、氫氣排空管15、攪拌裝置16、投放口17。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步的詳細描述：

實施例1：參考圖1，一種催化劑制備裝置，包含有：

一反應釜1，所述反應釜1的截面為圓形，上表面為向上凸起的弧形面并設置有液堿入口11、氮氣入口14、氫氣排空管15，其中所述氫氣排空管15的內壁設置有聚四氟乙烯涂層，所述液堿入口11設置于所述反應釜1頂面的中心處，所述反應釜1上部還設置有用于投放料液的投放口17；

一分流罩板12，所述分流罩板12位于所述反應釜1的上表面的下方，其下沿處于同一水平面上，其輪廓形狀與所述反應釜1的上表面相適配，其下沿與所述反應釜1的內壁留有空隙且所述分流罩板11與所述反應釜1上表面之間的間隙保持不變，為0.5毫米；

一環流擋板13，所述環流擋板13設置于所述分流罩板12與所述反應釜1的內壁所形成的空隙下方，且液堿經所述空隙流下后落入到所述環流擋板13上，所述環流擋板13的內緣與所述反應釜1的內表面通過弧面相連接；

一攪拌裝置16，所述攪拌裝置16包括設置于所述攪拌釜1內的攪拌轉子和設置于所述攪拌釜1下方的磁力攪拌器。

實施例2：參考圖1，一種催化劑制備裝置，與實施例1的不同之處在于：所述分流罩板11與所述反應釜1上表面之間的間隙為3毫米。