[發明專利]垂直存儲器件及制造其的方法

有效

• 申請號: 201710983668.6
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN108022928B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 李晙碩;金泓奭;安宰永;林漢鎮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B41/00
• 分類號: H10B41/00;H10B41/27;H10B43/00;H10B43/27
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種垂直存儲器件，包括：

第一結構，其包括：

下半導體圖案結構，其填充襯底上的凹陷并在垂直于所述襯底的上表面的第一方向上從所述襯底的所述上表面突出，所述下半導體圖案結構包括順序堆疊的第一未摻雜半導體圖案、摻雜半導體圖案和第二未摻雜半導體圖案，并且所述摻雜半導體圖案的下表面低于所述襯底的所述上表面，以及

上半導體圖案，其在所述下半導體圖案結構上在所述第一方向上延伸；以及

圍繞所述第一結構的側壁的多個柵電極，所述多個柵電極分別處于多個層從而在所述第一方向上彼此間隔開，

其中所述摻雜半導體圖案的上表面高于所述多個柵電極中最下面的柵電極的下表面并且低于所述最下面的柵電極的上表面。

2.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述第二未摻雜半導體圖案的上表面高于所述多個柵電極中所述最下面的柵電極的所述上表面。

3.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，還包括：

第一擴散防止圖案，其在所述第一未摻雜半導體圖案與所述摻雜半導體圖案之間；以及

第二擴散防止圖案，其在所述摻雜半導體圖案與所述第二未摻雜半導體圖案之間。

4.根據權利要求3所述的垂直存儲器件，其中所述第一擴散防止圖案和所述第二擴散防止圖案中的每個是摻以碳的半導體圖案。

5.根據權利要求4所述的垂直存儲器件，其中所述第二擴散防止圖案是摻以碳和硼的半導體圖案。

6.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，還包括在所述襯底的上部的雜質層。

7.根據權利要求6所述的垂直存儲器件，其中所述摻雜半導體圖案接觸所述雜質層。

8.根據權利要求6所述的垂直存儲器件，其中所述摻雜半導體圖案的下表面高于所述雜質層的下表面。

9.根據權利要求6所述的垂直存儲器件，其中所述摻雜半導體圖案的下表面低于所述雜質層的下表面。

10.根據權利要求6所述的垂直存儲器件，其中所述雜質層包括p型雜質。

11.一種垂直存儲器件，包括：

第一結構，其包括：

下半導體圖案結構，其填充襯底上的凹陷并在垂直于所述襯底的上表面的第一方向上從所述襯底的所述上表面突出，所述下半導體圖案結構包括順序堆疊的第一未摻雜半導體圖案、摻雜半導體圖案、擴散防止圖案和第二未摻雜半導體圖案，所述摻雜半導體圖案包括摻以p型雜質的硅圖案，所述擴散防止圖案包括摻以碳和所述p型雜質的硅圖案，以及

上半導體圖案，其在所述下半導體圖案結構上在所述第一方向上延伸；以及

圍繞所述第一結構的側壁的多個柵電極，所述多個柵電極分別處于多個層從而在所述第一方向上彼此間隔開，

其中所述摻雜半導體圖案的上表面高于所述多個柵電極中最下面的柵電極的下表面并且低于所述最下面的柵電極的上表面。

12.根據權利要求11所述的垂直存儲器件，其中：

所述擴散防止圖案是第二擴散防止圖案，以及

所述垂直存儲器件還包括在所述第一未摻雜半導體圖案與所述摻雜半導體圖案之間的第一擴散防止圖案，所述第一擴散防止圖案包括摻以碳的硅圖案。

13.根據權利要求11所述的垂直存儲器件，其中所述摻雜半導體圖案的下表面低于所述襯底的所述上表面。