[發(fā)明專利]一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710983618.8 | 申請日： | 2017-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN107723788A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳亮;黃嘉麗;王智昊;賀廣東;王琦琨;龔加瑋;雷丹 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州奧趨光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/00 | 分類號： | C30B25/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人： | 孫仿衛(wèi) |
| 地址： | 215699 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 氮化 鋁單晶 生長 坩堝 裝置 | ||
1.一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：包括用于放置氮化鋁粉源或氮化鋁燒結(jié)體的坩堝本體、蓋設于所述坩堝本體頂部的坩堝蓋、固設于所述坩堝蓋的內(nèi)表面的籽晶臺、上端固定在所述籽晶臺上的導流罩，所述導流罩沿遠離所述籽晶臺的方向向下逐漸徑向張開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述坩堝裝置還包括設于所述坩堝本體中的用于隔開所述坩堝蓋和所述氮化鋁粉源或用于隔開所述坩堝蓋和所述氮化鋁燒結(jié)體的隔離件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述隔離件上設有通孔，所述籽晶臺包括用于穿過所述通孔并抵接在所述坩堝蓋的內(nèi)表面的第一臺體、與所述第一臺體一體成型的位于所述隔離件遠離所述坩堝蓋一側(cè)的第二臺體，所述導流罩固定安裝在所述第二臺體上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述第二臺體的直徑大于所述通孔的直徑，所述第二臺體的上表面與所述隔離件的下表面之間間隙分布，所述導流罩包括連接部、固定連接在所述連接部下方的導流部，所述連接部卡設于所述隔離件的下表面和所述第二臺體的上表面之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述導流罩呈錐形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述導流罩的錐角在20°-160°之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述坩堝本體、所述坩堝蓋、所述籽晶臺、所述導流罩、所述隔離件同軸心線分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述導流罩的底端與所述氮化鋁粉源的頂端或所述氮化鋁燒結(jié)體的頂端之間的距離為1-10mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述導流罩與所述坩堝本體的內(nèi)壁之間的距離為0.5-10mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于氮化鋁單晶生長的坩堝裝置，其特征在于：所述導流罩的厚度為1-10mm。
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