[發明專利]一種磁光玻璃基離子交換制備磁光平面波導的方法在審
| 申請號: | 201710981821.1 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107643560A | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發明(設計)人: | 陳秋玲;王暉 | 申請(專利權)人: | 河南工業大學 |
| 主分類號: | G02B6/12 | 分類號: | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 450001 河南省鄭州市高新技*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 玻璃 離子交換 制備 平面 波導 方法 | ||
1.一種磁光玻璃基離子交換磁光平面條形波導芯片,其特征在于: 磁光玻璃基片表面光波導功能區域之外的部分進行掩膜保護; 通過熔融混合鹽離子交換方法在磁光玻璃基片中形成離子擴散區,離子擴散區的折射率和磁光效應均高于玻璃基片的折射率和磁光效應,條形離子擴散區和具有磁光功能的玻璃分別構成條形磁光波導的芯部和外包層;本發明通過如下步驟實施:1)在800-1000°C溫度下熔融淬火制備磁光玻璃基片,并雙面拋光磁光玻璃基片; 2)制作掩膜,對磁光玻璃表面光波導區域之外的部分采用熱蒸發方法制作Cr-Au掩膜; 3)按比例稱量配置混合鹽溶液,并在同一溫度下分別加熱磁光玻璃和混合鹽至離子交換溫度260-290°C,然后把同樣溫度的磁光玻璃投入混合鹽溶液中保持5-20分鐘后取出,用60°C左右的去離子水清洗干凈; 4)用化學腐蝕方法去除Cr-Au掩膜; 5)對磁光玻璃進行220-270°C退火處理1-2小時,降至室溫后完成磁光玻璃的磁光波導制備。
2.根據權利要求1所述磁光玻璃基片為逆磁PbO-Bi2O3-B2O3-Na2O玻璃,或者TeO2-PbO-B2O3-Na2O玻璃。
3.根據權利要求1所述的混合鹽溶液為AgNO3/NaNO3/KNO3 ,其摩爾比為1:47:52。
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