[發(fā)明專利]直接生長三維納米陣列電極用作高面積容量的鈉存儲

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710981696.4
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN107785538A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設計）人: 張景萍;范朝英;吳興隆
• 申請（專利權）人: 東北師范大學
• 主分類號: H01M4/1397
• 分類號: H01M4/1397;H01M4/58;H01M10/054;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，該制備方法包括以下步驟：

(1)將集流體裁成直徑為12mm的圓片，用鹽酸，乙醇和水清洗干凈，真空干燥備用。

(2)將集流體從烘箱出取出，然后稱質量，取質量相同的片，進行后面的反應。

(3)將表面活性劑加入到15mL一種或是多種混合的溶劑中攪拌，然后加入一定量的前驅體的鹽或是單質，攪拌溶解。

(4)將前驅體的溶液轉移至50mL反應釜中，然后將相同質量的集流體的片放入溶液中，在一定溫度下釜熱反應12h。

(5)反應結束后，將集流體片取出，用水和乙醇清洗，真空干燥，得到初始的電極片。

(6)將電極片放入管式爐中，在惰性氣氛的保護下進行后續(xù)的高溫處理，進一步優(yōu)化電極結構，獲得最終的鈉離子電池負極。

2.根據權利要求1所述的直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，其中，所述的集流體為泡沫鎳，泡沫銅之一。

3.根據權利要求1所述的直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，其中，表面活性劑為十六烷基三甲基溴化銨(CTAB),聚乙烯吡咯烷酮(PVP),吐溫80，十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)之一。

4.根據權利要求1所述的直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，其中，溶劑為水合肼，乙醇，水，水合肼和乙醇的混合溶劑之一。

5.根據權利要求1所述的直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，其中，前驅體的鹽或是單質為硒粉，二氧化硒，亞硒酸，亞硒酸鈉之一。

6.根據權利要求1所述的直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，其中，釜熱反應的溫度為140℃,150℃，160℃,180℃之一。

7.根據權利要求1所述的直接生長三維納米陣列金屬硒化物電極的制備方法，其中，高溫處理的溫度為300℃，400℃，500℃，600℃，700℃之一。